Micron muestra un MCRDIMM DDR5-8000 de 256 GB de "factor de forma alto

Los representantes de Micron mostraron nuevos productos en el evento GTC de NVIDIA de la semana pasada. Uno de los módulos DIMM más llamativos está listo para instalarse en los servidores de próxima generación. Tom's Hardware pasó algún tiempo en el stand de Micron y descubrió que el módulo DIMM de 256 GB DDR5-8800 con factor de forma alto y multiplexor de filas combinadas (MCR) se está preparando para futuras plataformas de procesadores empresariales, incluida la familia Xeon Scalable "Granite Rapids" de Intel. Se expuso un único módulo prototipo "alto", pero los representantes de la empresa indicaron que se están desarrollando módulos MCRDIMM de altura estándar. Tom's Hardware ha averiguado que serán lo bastante compactos como para caber en sistemas de servidor de tamaño 1U. Según su experiencia en persona: "(Los módulos MCRDIMM de Micron) de 256 GB se basan en circuitos integrados DDR5 monolíticos de 32 Gb, pero el alto coloca 80 chips DRAM a ambos lados del módulo, mientras que el estándar utiliza paquetes apilados de 2Hi, lo que significa que se calientan ligeramente más debido a que hay menos espacio para la disipación térmica. En cualquier caso, el módulo alto consume unos 20 W, lo que no está nada mal, ya que el RDIMM DDR5-8000 de 128 GB de Micron consume 10 W en DDR5-4800".

En una reciente llamada de resultados, el CEO de Micron, Sanjay Mehrotra, comentó la última tecnología de su empresa: "hemos empezado a probar nuestro módulo MCRDIMM de 256 GB, que mejora aún más el rendimiento y aumenta el contenido de DRAM por servidor". Se espera que las plataformas Intel Xeon de próxima generación admitan 12 ó 24 ranuras de memoria por zócalo de procesador. Las máquinas habilitadas para centros de datos podrían especificarse con capacidades totales de memoria de 3 TB o 6 TB (DDR5-8000). AnandTech ha resumido las ventajas de la nueva pieza de Micron: "Los módulos DIMM de rangos combinados multiplexores (MCR) son módulos de memoria de doble rango que incorporan un búfer especializado que permite que ambos rangos funcionen simultáneamente. Este búfer permite que los dos rangos físicos funcionen como si fueran módulos independientes que trabajan en paralelo, lo que permite la recuperación simultánea de 128 bytes de datos de ambos rangos por ciclo de reloj (en comparación con los 64 bytes por ciclo de los módulos de memoria normales), duplicando así el rendimiento de un solo módulo". La complejidad añadida se compensa con importantes mejoras de rendimiento, ideales para el procesamiento avanzado de inteligencia artificial en el servidor en el futuro.

Fuentes: Tom's Hardware, AnandTech, TweakTown