Micron Technology presenta MRDIMM para aumentar la densidad de memoria en servidores

Micron Technology, Inc. ha anunciado hoy que ya está probando su módulo de memoria en línea dual de rango multiplexado (MRDIMM). Los MRDIMM permitirán a los clientes de Micron ejecutar cargas de trabajo cada vez más exigentes y obtener el máximo valor de su infraestructura informática. Para aplicaciones que requieren más de 128 GB de memoria por ranura DIMM, los MRDIMMs de Micron superan a los RDIMMs TSV actuales al permitir el mayor ancho de banda, la mayor capacidad con la menor latencia y el mejor rendimiento por vatio para acelerar las cargas de trabajo de centros de datos virtualizados multi-tenant, HPC y AI con uso intensivo de memoria.1 La nueva oferta de memoria es la primera generación de la familia MRDIMM de Micron y será compatible con los procesadores Intel Xeon 6.

«La última e innovadora solución de memoria principal de Micron, MRDIMM, ofrece el ancho de banda y la capacidad necesarios con una latencia más baja para escalar las aplicaciones de inferencia de IA y HPC en las plataformas de servidor de próxima generación», afirma Praveen Vaidyanathan, vicepresidente y director general del grupo de productos informáticos de Micron. «Las MRDIMM reducen significativamente la cantidad de energía utilizada por tarea al tiempo que ofrecen las mismas capacidades e interfaz de fiabilidad, disponibilidad y capacidad de servicio que las RDIMM, proporcionando así a los clientes una solución flexible que escala el rendimiento». Las estrechas colaboraciones de Micron con la industria garantizan una integración perfecta en las infraestructuras de servidores existentes y transiciones fluidas a futuras plataformas de computación».

Al implementar los estándares físicos y eléctricos de DDR5, la tecnología MRDIMM ofrece un avance en memoria que permite escalar tanto el ancho de banda como la capacidad por núcleo para preparar los sistemas informáticos del futuro y satisfacer las crecientes demandas de las cargas de trabajo de los centros de datos. Las MRDIMM ofrecen las siguientes ventajas sobre las RDIMM:

Hasta un 39% más de ancho de banda efectivo de la memoria

Más de un 15% de mejora de la eficiencia del bus

Hasta un 40% de mejora de la latencia en comparación con los módulos RDIMM

Los módulos MRDIMM admiten una amplia gama de capacidades, de 32 GB a 256 GB, en formatos estándar y alto (TFF), adecuados para servidores 1U y 2U de alto rendimiento. El diseño térmico mejorado de los módulos TFF reduce la temperatura de la DRAM hasta 20 grados centígrados con la misma potencia y flujo de aire, lo que permite una refrigeración más eficiente en los centros de datos y optimiza la energía total de la tarea del sistema para cargas de trabajo intensivas en memoria. La tecnología de proceso y diseño de memoria de Micron, líder en el sector, que utiliza un chip DRAM de 32 Gb, permite que los módulos TFF MRDIMM de 256 GB tengan la misma potencia que los módulos TFF MRDIMM de 128 GB que utilizan un chip de 16 Gb. Un MRDIMM TFF de 256 GB proporciona una mejora del 35% en el rendimiento con respecto a los RDIMM TSV de capacidad similar a la máxima velocidad de datos. Con los módulos TFF MRDIMM de 256 GB, los centros de datos pueden obtener unas ventajas de coste total de propiedad sin precedentes con respecto a los módulos TSV RDIMM.

«Al aprovechar las interfaces y la tecnología DDR5, los módulos MRDIMM ofrecen una compatibilidad perfecta con las plataformas de CPU Xeon 6 existentes, lo que proporciona a los clientes flexibilidad y capacidad de elección», afirma Matt Langman, vicepresidente y director general de Gestión de Productos de Datacenter, Intel Xeon 6 en Intel. «Los MRDIMMs proporcionan a los clientes una elección completa de mayor ancho de banda, latencias más bajas y puntos de capacidad para HPC, AI y una plétora de cargas de trabajo, todo en las mismas plataformas de CPU Xeon 6 que también soportan DIMMs estándar. Nuestros clientes se beneficiarán de la amplia cartera de MRDIMMs de Micron que van desde 32 GB a 256 GB de densidad y en factores de forma estándar y altos que serán validados con las plataformas Intel Xeon 6.»

«A medida que los proveedores de procesadores y GPU nos han proporcionado exponencialmente más núcleos, el ancho de banda de memoria necesario para ofrecer un rendimiento equilibrado del sistema se ha quedado atrás. Los MRDIMM de Micron ayudarán a cerrar la brecha de ancho de banda para cargas de trabajo intensivas en memoria como la inferencia de IA, el reentrenamiento de IA e innumerables cargas de trabajo de computación de alto rendimiento», dijo Scott Tease, vicepresidente y gerente general de IA y Computación de Alto Rendimiento de Lenovo. «Nuestra colaboración con Micron es más fuerte que nunca, y está centrada como un láser en ofrecer soluciones tecnológicas equilibradas, de alto rendimiento y sostenibles a nuestros clientes mutuos.»

Los MRDIMM de Micron ya están disponibles y se comercializarán en volumen en la segunda mitad del año 2024. Las siguientes generaciones de módulos MRDIMM seguirán ofreciendo hasta un 45% más de ancho de banda de memoria por canal que los módulos RDIMM de generación similar.6 Para obtener más información sobre las innovaciones de los módulos MRDIMM de Micron, visite: Memoria MRDIMM de Micron.