NEO Semiconductor presenta la revolucionaria tecnología X-DRAM 3D basada en IGZO de 1T1C y 3T0C

NEO Semiconductor, empresa líder en el desarrollo de tecnologías innovadoras para memorias flash NAND 3D y DRAM 3D, ha anunciado hoy el último avance de su revolucionaria familia de tecnologías X-DRAM 3D: la primera célula X-DRAM 3D basada en 1T1C y 3T0C, una solución transformadora diseñada para ofrecer una densidad, eficiencia energética y escalabilidad sin precedentes para las aplicaciones de datos más exigentes.

Los nuevos diseños 1T1C y 3T0C, basados en una arquitectura similar a la NAND 3D y con chips de prueba previstos para 2026, combinan el rendimiento de la DRAM con la capacidad de fabricación de la NAND, lo que permite una producción rentable y de alto rendimiento con densidades de hasta 512 Gb, una mejora 10 veces superior a la DRAM convencional.

«Con la introducción de las DRAM 3D 1T1C y 3T0C, estamos redefiniendo las posibilidades de la tecnología de memoria», afirma Andy Hsu, fundador y CEO de NEO Semiconductor. «Esta innovación supera las limitaciones de escalado de la DRAM actual y sitúa a NEO a la cabeza de la próxima generación de memorias».

Principales características y ventajas:

Retención y eficiencia inigualables: gracias a la tecnología de canales IGZO, las simulaciones de celdas 1T1C y 3T0C demuestran tiempos de retención de hasta 450 segundos, lo que reduce drásticamente la potencia de actualización.

Verificado por simulación: las simulaciones TCAD (Technology Computer-Aided Design, diseño tecnológico asistido por ordenador) confirman velocidades rápidas de lectura/escritura de 10 nanosegundos y tiempos de retención de más de 450 segundos.

Fácil de fabricar: utiliza un proceso NAND 3D modificado, con cambios mínimos, lo que permite una escalabilidad total y una rápida integración en las líneas de fabricación de DRAM existentes.

Ancho de banda ultraalto: emplea arquitecturas de matriz exclusivas para la unión híbrida con el fin de mejorar significativamente el ancho de banda de la memoria y reducir el consumo de energía.

Alto rendimiento para cargas de trabajo avanzadas - Diseñada para IA, computación periférica y procesamiento en memoria, con acceso fiable de alta velocidad y consumo reducido de energía.

Ampliación de la familia 3D X-DRAM:

La plataforma tecnológica de NEO Semiconductor incluye ahora tres variantes de 3D X-DRAM:

1T1C (un transistor, un condensador): la solución básica para DRAM de alta densidad, totalmente compatible con las principales DRAM y HBM.

3T0C (tres transistores, cero condensadores): optimizada para operaciones de detección de corriente, ideal para IA y computación en memoria.

1T0C (un transistor, cero condensador): estructura de celda de cuerpo flotante adecuada para DRAM de alta densidad, computación en memoria, memoria híbrida y arquitecturas lógicas.

NEO Semiconductor asistirá a la 17ª edición del IEEE International Memory Workshop, que se celebrará del 18 al 21 de mayo de 2025 en Monterey, California (EE.UU.).

Fuente: NEO Semiconductor