NEO Semiconductor presenta una demostración de viabilidad de la tecnología 3D X-DRAM

NEO Semiconductor, un innovador líder en tecnologías avanzadas de inteligencia artificial y memoria, anunció hoy resultados exitosos de prueba de concepto (POC) para su tecnología 3D X-DRAM, marcando un hito importante hacia las soluciones de memoria de próxima generación y alta densidad para la inteligencia artificial y los sistemas centrados en datos.

La compañía también anunció una nueva inversión estratégica liderada por Stan Shih, fundador y ex presidente y CEO de Acer, y ex director de la junta directiva de TSMC durante más de 20 años. Como un pionero y empresario de la tecnología respetado a nivel mundial, el Sr. La participación de Shih refleja una fuerte confianza en la tecnología y la visión de NEO, y apoyará la próxima fase de desarrollo de la compañía.

Los chips de prueba de POC demuestran que X-DRAM 3D Se puede fabricar utilizando la infraestructura 3D NAND existente, incluyendo equipos, materiales y procesos rentables establecidos. Con 3D NAND que ya supera las 300 capas en producción, estos resultados allanan el camino para la próxima generación de DRAM 3D de alta densidad, al tiempo que validan el rendimiento y la confiabilidad eléctrica sólida.

Los principales resultados de POC incluyen:

• Latencia de lectura/escritura: <10 ns

• Retención de datos: >1 segundo a 85°C (15× mejor que el estándar JEDEC de 64 ms)

• Perturbación de la línea de bits: > 1 segundo a 85°C

• Perturbación de la línea de palabra: > 1 segundo a 85 ° C

• Resistencia: >1014 ciclos

"Estos resultados validan una nueva ruta de escalado para la DRAM", dijo Andy Hsu, fundador y CEO de NEO Semiconductor. "Creemos que esta tecnología puede permitir una densidad significativamente mayor, un menor costo y una mayor eficiencia energética para la era de la IA. Al aprovechar los procesos y ecosistemas de fabricación establecidos de NAND 3D, nuestro objetivo es llevar la DRAM 3D a la realidad antes. NEO está participando activamente con las principales compañías globales de memoria y semiconductores en posibles oportunidades de co-desarrollo, y creemos que nuestra tecnología es muy adecuada para un modelo escalable de licencias y asociación para llevar soluciones de memoria de inteligencia artificial de próxima generación al mercado".

Los analistas de la industria también destacaron la importancia de los resultados. "En este momento crucial, NEO Semiconductor ha logrado un gran avance", dijo Jeongdong Choe, miembro técnico senior y vicepresidente senior de TechInsights. "A medida que la escala de DRAM convencional se acerca a sus límites, la industria se está desplazando hacia Arquitecturas 3D Y las nuevas tecnologías celulares para satisfacer las crecientes demandas de inteligencia artificial y centrada en datos. El POC de silicio de NEO representa un hito significativo, demostrando la viabilidad del mundo real más allá de los conceptos teóricos. Los resultados eléctricos y de confiabilidad reportados son alentadores, y este desarrollo se alinea con la hoja de ruta de la industria hacia la memoria escalada verticalmente. Al igual que la transición a 3D NAND en la última década, ahora estamos presenciando el amanecer de una nueva era de DRAM 3D más allá de los límites tradicionales de escala. Es realmente emocionante ver que esta visión se convierte en una realidad tangible".

El POC se desarrolló en colaboración con la Universidad Nacional Yang Ming Chiao Tung (NYCU) en Taiwán, específicamente su Escuela de Innovación de Industria-Academia (IAIS), y fue fabricado y probado en los Institutos Nacionales de Investigación Aplicada-Instituto de Investigación Semiconductora de Taiwán (NIAR-TSRI). El dispositivo superó con éxito extensas evaluaciones eléctricas y de confiabilidad, lo que confirma la robustez y estabilidad de la arquitectura de memoria propuesta.

"Me complace que esta estrecha asociación de desarrollo conjunto de la academia de la industria haya validado la viabilidad del concepto de DRAM 3D de NEO en condiciones reales de proceso de silicio", dijo Jack Sun, vicepresidente senior de NYCU y decano de IAIS, y ex director de tecnología de TSMC. "La prueba de concepto exitosa no solo demuestra el potencial de las arquitecturas de memoria innovadoras, sino que también confirma la viabilidad de implementar tecnologías de memoria avanzadas utilizando procesos maduros. Esta colaboración entre NEO, NYCU IAIS y NIAR-TSRI subraya aún más el valor de las asociaciones entre la industria y la academia para acelerar la innovación desde el concepto hasta la implementación práctica".

Paralelamente, NEO anunció una inversión estratégica de un grupo de inversores líderes en tecnología, liderados por Stan Shih, fundador y ex presidente y CEO de Acer. "Estoy encantado de ver este avance logrado a través de la colaboración en la industria y la academia", dijo Stan Shih. "Al reunir la innovación, la ejecución de ingeniería sólida y un ecosistema de semiconductores robusto en Taiwán, este POC se realizó con éxito. Se espera que la DRAM 3D de NEO desempeñe un papel clave en futuras arquitecturas de sistemas. A medida que la memoria de próxima generación se vuelve cada vez más crítica para la computación de IA, innovaciones como 3D X-DRAM tienen el potencial de contribuir significativamente a la evolución de la industria global de la memoria".

La financiación ha apoyado el desarrollo exitoso del POC y continuará avanzando en la próxima fase de la compañía, incluida la implementación a nivel de matriz, el desarrollo de chips de prueba de múltiples capas y un compromiso más profundo con las principales compañías de memoria para explorar asociaciones estratégicas.

NEO está actualmente en conversaciones activas con socios de la industria en todo el ecosistema de memoria y semiconductores para avanzar en la tecnología hacia la comercialización. Con la validación exitosa de POC y el creciente compromiso de la industria, la compañía está entrando en una nueva fase centrada en el avance de la X-DRAM 3D como una tecnología fundamental para los sistemas de memoria de IA de próxima generación.

El CEO de NEO Semiconductor, Andy Hsu, ofrecerá una presentación magistral en la conferencia FMS: Future of Memory and Storage, donde discutirá la tecnología 3D X-DRAM de la compañía y compartirá información más profunda sobre los resultados de prueba de concepto recientemente demostrados, incluidas las métricas clave de rendimiento y confiabilidad. El evento se lleva a cabo del 4 al 6 de agosto de 2026, en el Centro de Convenciones de Santa Clara en California, Estados Unidos. NEO Semiconductor también estará presente en el stand #507.

Fuente: NEO Semiconductor