Rapidus logra un hito importante con la creación de prototipos de transistores GAA de 2nm de última generación

Rapidus Corporation, fabricante de semiconductores lógicos avanzados, anunció hoy que el prototipado ha comenzado para su estructura transistora de 2 nm gate-all-round (GAA) en la fundición Rapidus Innovative Integration for Manufacturing (IIM-1). El prototipo de obleas también comenzó a obtener sus características eléctricas. Rapidus nuevo fundición IIM-1 representa un avance significativo sobre el modelo de fundición tradicional. La compañía está re-imaginando cómo las fábricas de semiconductores deben pensar, aprender, adaptar y optimizar los procesos en tiempo real a través de métodos y tecnología de vanguardia, incluyendo:

Procesamiento frontal totalmente de un solo olore: En un proceso de un solo olo transfierno, se pueden hacer ajustes en una sola oblea, inspeccionada y si tiene éxito, aplicada a todas las obleas posteriores. La oblea única captura más datos, lo que permite capacitar a los modelos de IA para mejorar la producción de obleas y aumentar los rendimientos. Rapidus es una de las primeras empresas que comercializará el procesamiento completo de un solo olores, que es central en su Servicio de Fabricación Rápida y Unificada (RUM).

   

Lithografía de ultravioleta extrema (EUV): La litografía de EUV es una de las tecnologías clave para la realización de semiconductores de 2 nm. Un proceso de litografía avanzada es crítico para formar la estructura GAA de generación de 2 nm. Rapidus es la primera empresa en instalar maquinaria avanzada de EUV en Japón. Además, el 1 de abril de 2025, la compañía completó con éxito la exposición a EUV, aproximadamente tres meses después de la entrega del equipo en diciembre de 2024.

En menos de tres años, Rapidus ha logrado sus hitos objetivo IIM-1, desde la inauguración inicial en septiembre de 2023, la finalización de la sala limpia en 2024 y, en junio de 2025, la conexión de más de 200 de las piezas de equipos semiconductores más avanzadas del mundo. Estos logros se complementan con el anuncio de hoy de prototipado de 2 nm transistores GAA y de la consecución de características eléctricas.

Rapidus está desarrollando un kit de desarrollo de procesos compatible con el proceso de 2 nm de IIM-1 y lo lanzará para avanzar a los clientes en Q1 2026, mientras prepara un entorno en el que los clientes pueden iniciar sus propios prototipos. Rapidus comenzará la producción en masa en 2027.

Fuente: Rapidus