Samsung apila dos chips NAND de 450 capas para crear un V-NAND de 900 capas

Samsung está trabajando constantemente para lograr su objetivo de crear Flash NAND de 1000 capas Módulos de almacenamiento. Sin embargo, a medida que aumentan las complejidades de fabricación, la empresa no puede lograr esto con un solo chip. En cambio, está recurriendo a soluciones avanzadas de embalaje para apilar dos módulos V-NAND de 450 capas en un único chip V-NAND de 900 capas. Según ET News, que informó por primera vez este logro de fabricación, Samsung está utilizando la tecnología Cell Multi-Bonding (CMB), una variante del apilamiento de obleas logrado a través de la unión híbrida. Este proceso forma una unión permanente entre dos chips de silicio utilizando protuberancias metálicas incrustadas que se fusionan para crear un solo chip. Múltiples troqueles, o en la caja de Samsung, múltiples obleas de silicio completas, se pueden conectar apilando dos extremos traseros de chip juntos. El proceso propietario de Samsung, llamado CMB, allana el camino para chips V-NAND de 1000 capas para 2030.

A principios del año pasado, Samsung presentó su tecnología V-NAND de décima generación, que permite más de 400 capas en un solo módulo. La compañía también introdujo la unión híbrida por primera vez, lo que indica que la tecnología se ha refinado desde entonces. Curiosamente, la unión de obleas en diseños ya gruesos de 450 capas es un desafío debido a la deformación de la oblea. Afortunadamente, Samsung desarrolló mandriles microscópicos para abordar esto, junto con nuevas técnicas de unión para corregir problemas de superposición y errores de desalineación cuando las obleas se unen. Dentro de la propia NAND, Samsung creó nuevas estructuras de línea de bits y líneas de texto para ayudar a administrar el consumo de energía y mantener tamaños de chip individuales razonables.

No está claro cuándo Samsung planea hacer que este V-NAND de 900 capas esté disponible a nivel mundial, ya que la producción de alto volumen aún está a unos pocos trimestres de distancia. El plan actual consiste en llevar el V-NAND de décima generación a la producción en masa, que cuenta con más de 400 capas por chip individualmente, y luego la introducción del diseño de 900 capas. Actualmente, SK hynix tiene el récord de la mayor cantidad de capas en producción en volumen con su Diseño 4D NAND de 321 capas, pero Samsung pretende convertirse pronto en el poseedor del récord. Esperamos más anuncios de Samsung en esta área en las próximas semanas.

Fuente: ET Noticias