Samsung apunta a alcanzar los 13 Gbps con HBM4e y registra un beneficio operativo de 8500 millones de dólares en el tercer trimestre.
- Masterbitz

- 15 oct
- 2 Min. de lectura
Samsung más detalles de su memoria HBM4e de próxima generación en la OCP Global Summit con el objetivo de velocidades por pin por encima de 13 Gbps y un ancho de banda total de 3.25 TB/s, aproximadamente 2.5 × más rápido que HBM3e. La compañía también afirma más del doble de la eficiencia energética, con el uso de energía cayendo por debajo de 1.95 pJ / bit, menos de la mitad de la de HBM3e. Según SeDaily y Tweaktown, el desarrollo fue impulsado por la solicitud de NVIDIA de memoria de mayor velocidad para alimentar su próximo acelerador de IA Vera Rubin. Mientras que el JEDEC HBM4 cubre el ancho de banda a 8 Gbps por pin, NVIDIA Según los informes, ha instado a Samsung, SK hynix y Micron a superar los 10 Gbps. Chosun Daily informa que Samsung puede disolver su 1c DRAM de mejora del rendimiento Grupo de trabajo para acelerar la producción en masa de HBM4, incluso cuando las primeras pruebas en frío muestran rendimientos por debajo del 50%. Según los informes, la compañía se ha saltado su revisión de producción interna habitual y se ha movido directamente hacia la producción en rampa. TrendForce agrega que Samsung cambió su proceso de matriz base HBM4 a un nodo FinFET de 4 nm, posicionándose por delante de los competidores tanto en velocidad como en escala de fabricación. Se espera que la producción de volumen de chips con capacidad de 10 Gbps comience a fines de 2025.










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