Samsung desarrolla la primera memoria DRAM HBM3E 12H de 36 GB del sector

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha desarrollado HBM3E 12H, la primera DRAM HBM3E de 12 pilas del sector y el producto HBM de mayor capacidad hasta la fecha. La HBM3E 12H de Samsung proporciona un ancho de banda sin precedentes de hasta 1.280 gigabytes por segundo (GB/s) y una capacidad líder en el sector de 36 gigabytes (GB). En comparación con la HBM3 8H de 8 pilas, ambos aspectos han mejorado en más de un 50%.

"Los proveedores de servicios de IA de la industria requieren cada vez más HBM con mayor capacidad, y nuestro nuevo producto HBM3E 12H ha sido diseñado para responder a esa necesidad", dijo Yongcheol Bae, Vicepresidente Ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics. "Esta nueva solución de memoria forma parte de nuestro impulso hacia el desarrollo de tecnologías básicas para HBM de alta pila y proporcionar liderazgo tecnológico para el mercado de HBM de alta capacidad en la era de la IA."

La HBM3E 12H aplica una avanzada película no conductora de compresión térmica (TC NCF), lo que permite que los productos de 12 capas tengan la misma especificación de altura que los de 8 capas para cumplir los requisitos actuales de encapsulado de HBM. Se prevé que esta tecnología aporte ventajas añadidas, sobre todo con pilas más altas, ya que el sector trata de mitigar el alabeo de la matriz del chip que se produce con las matrices más finas. Samsung ha seguido reduciendo el grosor de su material NCF y ha logrado la menor separación entre chips del sector, de siete micrómetros (µm), además de eliminar los huecos entre capas. El resultado es una densidad vertical mejorada en más de un 20% en comparación con su producto HBM3 8H.

El avanzado TC NCF de Samsung también mejora las propiedades térmicas del HBM al permitir el uso de protuberancias de distintos tamaños entre los chips. Durante el proceso de unión de chips, los bumps más pequeños se utilizan en las zonas de señalización y los más grandes se colocan en los puntos que requieren disipación de calor. Este método también ayuda a aumentar el rendimiento del producto.

A medida que las aplicaciones de IA crecen exponencialmente, se espera que la HBM3E 12H sea una solución óptima para los futuros sistemas que necesiten más memoria. Su mayor rendimiento y capacidad permitirá especialmente a los clientes gestionar sus recursos de forma más flexible y reducir el coste total de propiedad (TCO) de los centros de datos. Cuando se utiliza en aplicaciones de IA, se estima que, en comparación con la adopción de HBM3 8H, la velocidad media para el entrenamiento de IA puede incrementarse en un 34%, mientras que el número de usuarios simultáneos de los servicios de inferencia puede ampliarse más de 11,5 veces.

Samsung ha empezado a ofrecer muestras de su HBM3E 12H a sus clientes y la producción en masa está prevista para la primera mitad de este año.

Fuente: Samsung