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Samsung Electronics colabora con Arm en la optimización de la nueva generación de CPU Cortex-X mediante el proceso SF2 GAAFET de 2nm

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de semiconductores avanzados, ha anunciado hoy una colaboración para ofrecer la próxima generación optimizada de CPU Arm Cortex -X desarrollada en la última tecnología de proceso Gate-All-Around (GAA) de Samsung Foundry. Esta iniciativa se basa en años de colaboración con millones de dispositivos distribuidos con propiedad intelectual (IP) de CPU Arm en diversos nodos de proceso ofrecidos por Samsung Foundry.



Esta colaboración sienta las bases para una serie de anuncios e innovaciones previstas entre Samsung y Arm. Las empresas tienen planes audaces para reinventar el GAA de 2 nanómetros (nm) para la próxima generación de centros de datos y silicio personalizado de infraestructura, y una solución innovadora de chip de IA que revolucionará el futuro mercado de la informática móvil de inteligencia artificial generativa (IA).


"A medida que avanzamos en la era Gen AI, nos complace ampliar nuestra colaboración con Arm para ofrecer la próxima generación de CPU Cortex-X, lo que permitirá a nuestros clientes mutuos crear productos innovadores", ha declarado Jongwook Kye, vicepresidente ejecutivo y responsable de Desarrollo de Plataformas de Diseño Foundry de Samsung Electronics. "Tanto Samsung como Arm han construido una sólida base a lo largo de muchos años de colaboración. Este nivel sin precedentes de profunda cooptimización de la tecnología de diseño ha dado lugar a un logro pionero, proporcionando acceso a la más reciente Cortex-CPU en el último nodo de proceso GAA."


"Chris Bergey, vicepresidente senior y director general de Client Business de Arm Inc., afirma: "Nuestra larga colaboración con Samsung ha proporcionado innovación de vanguardia de varias generaciones. "La optimización de los procesadores Cortex-X y Cortex-A en el último nodo de proceso de Samsung subraya nuestra visión compartida de redefinir lo que es posible en la informática móvil, y esperamos seguir superando los límites para satisfacer las implacables demandas de rendimiento y eficiencia de la era de la IA."


Samsung anunció su producción inicial de 3 nm Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), basado en la tecnología GAA de Samsung en 2022. La tecnología GAA permite un mayor escalado del dispositivo más allá de la generación FinFET, mejorando la eficiencia energética con un nivel reducido de tensión de alimentación, y un mayor rendimiento con una mayor capacidad de corriente de accionamiento. El enfoque de implementación GAA con estructura de nanohojas ofrece la máxima flexibilidad y escalabilidad de diseño.


Diseñada con el nodo de proceso GAA de nueva generación de Samsung, Arm ha suministrado la CPU Cortex-X más reciente optimizada con mejoras adicionales de rendimiento y eficiencia para llevar la experiencia del usuario al siguiente nivel.


Con la presión continua para que los productos se entreguen a tiempo, es primordial garantizar un silicio correcto a la primera con los atributos de potencia, rendimiento y área (PPA) más competitivos. El diseño y la fabricación ya no pueden optimizarse por separado. Desde el principio, los equipos de Samsung y Arm adoptaron la cooptimización de diseño y tecnología (DTCO), que ha sido un factor crítico para maximizar los beneficios de PPA tanto para la arquitectura de diseño de la CPU Cortex-X de próxima generación como para la tecnología de proceso GAA.


La IA generativa es un motor de crecimiento clave para una nueva ola de productos que ofrecen una experiencia de usuario superior. A través de esta colaboración, Samsung y Arm están acelerando el acceso a la implementación optimizada de la próxima generación de CPU Cortex-X en la última tecnología de proceso GAA de Samsung, lo que permite la próxima generación de innovaciones de productos con un rendimiento líder en la industria.

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