Samsung Electronics inicia la primera producción en masa de V-NAND de 9ª generación del sector

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha comenzado la producción en masa de su NAND vertical (V-NAND) de 9ª generación de triple celda de nivel (TLC) de un terabit (Tb), consolidando su liderazgo en el mercado de flash NAND.

"Estamos encantados de presentar la primera V-NAND de 9ª generación del sector, que supondrá un gran avance para las aplicaciones futuras. Para responder a las necesidades cambiantes de las soluciones flash NAND, Samsung ha ampliado los límites de la arquitectura de celdas y el esquema operativo de nuestro producto de próxima generación", afirma SungHoi Hur, responsable de Producto y Tecnología Flash de Samsung Electronics. "A través de nuestra última V-NAND, Samsung continuará marcando la tendencia en el mercado de las unidades de estado sólido (SSD) de alto rendimiento y alta densidad que satisfagan las necesidades de la próxima generación de IA".

Con el tamaño de celda más pequeño de la industria y el molde más delgado, Samsung mejoró la densidad de bits de la V-NAND de 9ª generación en aproximadamente un 50% en comparación con la V-NAND de 8ª generación. Se han aplicado nuevas innovaciones, como la evitación de interferencias entre celdas y la prolongación de la vida útil de las celdas, para mejorar la calidad y fiabilidad del producto, mientras que la eliminación de los orificios de los canales ficticios ha reducido significativamente el área plana de las celdas de memoria.

Además, la avanzada tecnología de "grabado de agujeros de canal" de Samsung muestra el liderazgo de la empresa en capacidades de proceso. Esta tecnología crea vías de electrones apilando capas de moldes y maximiza la productividad de fabricación, ya que permite perforar simultáneamente el mayor número de capas celulares del sector en una estructura de doble pila. A medida que aumenta el número de capas de celdas, la capacidad de perforar un mayor número de celdas se vuelve esencial, lo que exige técnicas de grabado más sofisticadas.

La V-NAND de 9ª generación está equipada con la interfaz flash NAND de última generación, "Toggle 5.1", que permite aumentar la velocidad de entrada y salida de datos en un 33%, hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Junto con esta nueva interfaz, Samsung tiene previsto consolidar su posición en el mercado de las SSD de alto rendimiento ampliando la compatibilidad con PCIe 5.0.

El consumo de energía también se ha mejorado en un 10% con avances en el diseño de bajo consumo, en comparación con la generación anterior. A medida que la reducción del consumo de energía y de las emisiones de carbono se convierte en un aspecto vital para los clientes, se espera que la V-NAND de 9ª generación de Samsung sea una solución óptima para las aplicaciones futuras.

Samsung ha iniciado este mes la producción en masa de la V-NAND de 9ª generación TLC de 1 TB, a la que seguirá el modelo QLC (quad level cell) en la segunda mitad de este año.

Fuente: Samsung