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Samsung entregará un proceso de fabricación de 3 nm en 2022 con transistores de próxima generación

Samsung está determinado en sus planes para entregar el proceso de fabricación de silicio de 3 nm en el año 2022, y con él, habrá algunas mejoras importantes en la tecnología de transistores. Ya hemos mencionado que Samsung está trabajando en la tecnología Gate-All-Around FET que traerá un control mucho mejor del canal del transistor, evitando fugas en los nodos más pequeños. Sin embargo, hoy Samsung agregó algunos detalles más sobre su próxima tecnología FET de Canal Multi Puente para un proceso de fabricación de 3 nm, simplemente llamado MBCFET. Gracias al informe de Hardwareluxx, tenemos más detalles sobre la tecnología MBCFET y sus características.

En primer lugar, vale la pena señalar que MCBFET es parte de GAAFET, lo que significa que GAAFET no es un producto, sino una clase de muchos basados ​​en sus conceptos. En cuanto al rendimiento de MCBFET, Samsung dice que la tecnología utilizará un 50% menos de energía y ofrecerá un 30% más de rendimiento. También habrá una gran ganancia de densidad, donde Samsung predice que habrá alrededor de un 45% menos de espacio de silicio por cada transistor. La comparación se realiza con un proceso de 7 nm no especificado, posiblemente el proceso de Samsung que utiliza FinFET. La tecnología permite el apilamiento de transistores uno encima del otro, lo que hace que use inherentemente menos espacio en comparación con FinFET normal. Siendo que los transistores MCBFET GAA hacen que su ancho de transistor sea flexible, significa que el transistor apilado general puede ser tan ancho como un diseñador lo necesite, ajustándose a cualquier escenario como baja potencia o alto rendimiento. Fuente: Hardwareluxx


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