Samsung Foundry prueba un proceso de 3 nanómetros de segunda generación

Según un informe publicado por THE CHOSUN Daily, Samsung y TSMC están compitiendo por la supremacía con la próxima producción en masa del proceso GAA (Gate-All-Around) de 3 nm de segunda generación. Al parecer, el gigantesco conglomerado multinacional surcoreano de fabricación está cortejando a posibles clientes: la información privilegiada apunta a un ensayo de prototipos de la segunda generación del proceso de 3 nm: "(la fundición está) probando actualmente el rendimiento y la fiabilidad del chip, Samsung aspira a lograr un rendimiento superior al 60 por ciento para el proceso de 3 nm de segunda generación en los próximos seis meses, tal y como marcan los objetivos internos de la empresa". En el artículo se menciona a NVIDIA, Qualcomm y AMD, por lo que será necesario un gran esfuerzo para atraer a estos clientes de alto perfil lejos de TSMC.

Según fuentes internas, el proceso de 3 nm de segunda generación está vinculado a un nuevo procesador de aplicaciones (AP). Se espera que esta unidad orientada a los dispositivos para llevar puestos impulse la séptima generación de relojes Galaxy Watch. Este nodo de producción podría ser aprobado por la división LSI de la compañía -dependiendo de lo bien que funcione el SF3 de segunda generación en los modelos Galaxy Watch 7- como base tecnológica para su SoC móvil Exynos 2500. Se cree que este procesador basado en ARM debutará en la familia de teléfonos inteligentes Galaxy S25 de 2025. Según el informe, Qualcomm es uno de los principales clientes, pero será difícil arrebatar a este fabricante sin fábrica el dominio de TSMC. La serie Galaxy S24 de Samsung llevará chips Snapdragon 8 Gen 3 fabricados en el proceso N4P de 4 nm de TSMC.

Fuentes: The Chosun Daily, Tom's Hardware