Samsung inicia la producción en masa de la primera V-NAND QLC de 9ª generación de la industria

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha iniciado la producción en masa de su NAND vertical (V-NAND) de 9ª generación de celdas de nivel cuádruple (QLC) de un terabit (Tb).

Con la primera producción masiva de V-NAND QLC de 9ª generación, tras la primera producción de V-NAND TLC de 9ª generación en abril de este año, Samsung consolida su liderazgo en el mercado de memorias flash NAND de alta capacidad y rendimiento.

«El inicio de la producción en masa de la 9ª generación de V-NAND QLC solo cuatro meses después de la versión TLC nos permite ofrecer una gama completa de soluciones SSD avanzadas que responden a las necesidades de la era de la inteligencia artificial», afirma SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Tecnología y Productos Flash de Samsung Electronics. «A medida que el mercado de SSD empresariales muestre un rápido crecimiento con una mayor demanda de aplicaciones de IA, continuaremos solidificando nuestro liderazgo en el segmento a través de nuestra V-NAND de 9ª generación QLC y TLC.»

Samsung planea expandir las aplicaciones de la V-NAND de 9ª generación QLC, comenzando con productos de consumo de marca y extendiéndose al almacenamiento flash universal (UFS) móvil, PC y SSD de servidor para clientes, incluidos los proveedores de servicios en la nube.

La V-NAND QLC de 9ª generación de Samsung reúne una serie de innovaciones que han producido avances tecnológicos:

La inigualable tecnología Channel Hole Etching de Samsung se utilizó para lograr el mayor número de capas del sector con una estructura de doble pila. Utilizando la experiencia tecnológica adquirida con la V-NAND TLC de 9ª generación, se ha optimizado el área de las celdas y los circuitos periféricos, logrando una densidad de bits líder en el sector, aproximadamente un 86% superior a la de la V-NAND QLC de la generación anterior.

La tecnología Mold diseñada ajusta el espaciado de las líneas de palabras (WL), que hacen funcionar las celdas, para garantizar la uniformidad y la optimización de las características de las celdas en todas las capas y dentro de ellas. Estas características son cada vez más importantes a medida que aumenta el número de capas V-NAND. La adopción del Molde Diseñado ha mejorado el rendimiento de la retención de datos en aproximadamente un 20% en comparación con las versiones anteriores, lo que se traduce en una mayor fiabilidad del producto.

La tecnología Predictive Program anticipa y controla los cambios de estado de las celdas para minimizar las acciones innecesarias. La V-NAND QLC de 9ª generación de Samsung ha duplicado el rendimiento de escritura y mejorado la velocidad de entrada/salida de datos en un 60% gracias a los avances de esta tecnología.

El consumo de energía de lectura y escritura de datos se redujo en un 30% y un 50%, respectivamente, con el uso del diseño de bajo consumo Este método reduce el voltaje que impulsa las celdas NAND y minimiza el consumo de energía al detectar sólo las líneas de bits (BL) necesarias.

Fuente: Samsung