Samsung podría llevar los chips base HBM a la tecnología de vanguardia de 2 nm, ampliando su propia hoja de ruta de HBM4 de 4 nm.

El gigante coreano de chips Samsung podría reutilizar una línea de producción en una instalación de investigación y desarrollo en construcción para fabricar matrices lógicas de base para su producción de chips de memoria HBM. El informe es cortesía de fuentes de la industria citadas por ZDNet, y agrega que, dado que la apertura de la instalación está programada en dos años, los planes están sujetos a revisión.

Samsung Tiene Como Objetivo Producir La Matriz De Base De Chip De Memoria HBM Con Tecnología De Procesos De Fabricación De 2 Nanometros Para NVIDIA, Según Un Informe

El diseño de los chips de memoria HBM, que se utilizan principalmente en aplicaciones informáticas de IA, requiere múltiples chips de memoria DRAM apilados uno encima del otro. A medida que crecen los requisitos de rendimiento de la infraestructura informática, el diseño de estos chips también está evolucionando. Junto con el número de capas de DRAM apiladas una encima de la otra, otro factor clave que está evolucionando es la matriz base en los chips de memoria HBM.

La primera actualización del dado base se produjo cuando los fabricantes avanzaron a los chips de memoria HBM3 y HBM3E. Esta actualización vio a los fabricantes saltar a los procesos de nodo de fundición IC para el dado base por primera vez a medida que las velocidades de datos y las velocidades de los pines aumentaron significativamente desde la generación anterior de chips de memoria. Como resultado, la matriz base comenzó a confiar en nodos lógicos que van desde 20 nanómetros a 12 nanómetros.

El siguiente cambio ocurrió con los chips de memoria HBM4 que se utilizan actualmente en los últimos productos de IA, como los chips Rubin de NVIDIA. Fue necesario por las altas tasas de datos alcanzadas por la memoria HBM3E y los autobuses más amplios y más vías de silicio (TSV). Estos cambios vieron que las fundiciones, como TSMC y Samsung Foundry, se hicieron cargo del papel de fabricar la matriz base de chip HBM.

Ahora, un informe de ZDNet afirma que Samsung está interesado en reutilizar una línea de producción en sus instalaciones de investigación y desarrollo en construcción en el distrito industrial de Giheung en Corea. Esta línea se puede utilizar para fabricar matrices de base HBM a través de la tecnología de fabricación de chips de 2 nanómetros, dice el informe. Agrega que los troqueles base podrían estar destinados a los chips de inteligencia artificial de NVIDIA y la línea que podría usarse para este propósito es la línea NRD-K 2.

A principios de este año, Samsung anunció que utilizaría la tecnología de fabricación de 4 nanómetros para los chips de memoria HBM4. Junto con Samsung, SK hynix también trabajará con una fundición para sus chips HBM, ya que la firma se ha asociado con TSMC. TSMC ofrece tanto el nodo N12 maduro como el nodo N5 avanzado como opciones para construir chips de memoria HBM. El tercer jugador en la industria de la memoria, Micron, también se ha asociado con TSMC para sus chips de memoria HBM4.

Fuente: Wccftech