Samsung está preparando el lanzamiento de su memoria V-NAND (flash NAND 3D) de 9ª generación para el mes que viene, según informa la publicación coreana Hankyung. Se espera que la memoria flash NAND 3D de 9ª generación de Samsung ofrezca 290 capas, un paso adelante respecto a la V-NAND de 8ª generación de 236 capas que la empresa presentó en 2022. Al parecer, Samsung ha logrado la densidad de apilamiento vertical de 290 capas mediante mejoras en sus técnicas de apilamiento de capas flash, que se basan en el aumento del número de capas a través de más agujeros de memoria en la capa flash. El coste es la densidad de datos por oblea, pero el aumento del número de capas supone una ganancia neta.

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