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Samsung prepara una NAND 3D de 290 capas para mayo de 2024 y 430 para 2025

Samsung está preparando el lanzamiento de su memoria V-NAND (flash NAND 3D) de 9ª generación para el mes que viene, según informa la publicación coreana Hankyung. Se espera que la memoria flash NAND 3D de 9ª generación de Samsung ofrezca 290 capas, un paso adelante respecto a la V-NAND de 8ª generación de 236 capas que la empresa presentó en 2022. Al parecer, Samsung ha logrado la densidad de apilamiento vertical de 290 capas mediante mejoras en sus técnicas de apilamiento de capas flash, que se basan en el aumento del número de capas a través de más agujeros de memoria en la capa flash. El coste es la densidad de datos por oblea, pero el aumento del número de capas supone una ganancia neta.



La misma fuente que ha publicado la noticia sobre la 9ª generación de V-NAND también informa de que la empresa tiene previsto lanzar su sucesora, la 10ª generación de V-NAND, bastante antes de 2025. Se espera que sea una flash NAND 3D de 430 capas, lo que supondría un aumento de 140 capas con respecto a la 9ª generación (que a su vez aumentó en 54 capas con respecto a su predecesora). Esto pondría a Samsung de nuevo en el buen camino junto con sus competidores, Kioxia, SK Hynix, Micron Technology e YMTC, que aspiran al ambicioso objetivo de conseguir una memoria flash NAND 3D de 1.000 capas para 2030.



Fuentes: Hankyung, Wccftech

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