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Samsung también mostrará 280 capas 3D QLC NAND Flash, 32 Gbit DDR5-8000 chips de memoria en el IEEE-SSCC

Además de la memoria GDDR7 de 37 Gbps, Samsung Electronics se prepara para mostrar otras innovaciones en materia de memoria en la IEEE-SSCC de 2024, según recoge VideoCardz. Para empezar, la empresa presentará una nueva memoria flash NAND 3D QLC de 280 capas con una densidad de 1 Tb, que permitirá la próxima generación de unidades SSD y de almacenamiento para smartphones. Este chip ofrece una densidad de área de 28,5 Gb/mm² y una velocidad de 3,2 GB/s. Para poner esto en perspectiva, los tipos de flash 3D NAND más rápidos que alimentan la actual cosecha de SSD NVMe insignia cuentan con velocidades de datos de E/S de 2,4 GB/s.



A continuación, un chip de memoria DDR5 de nueva generación ofrece velocidades de datos de DDR5-8000 con una densidad de 32 Gbit (4 GB). Este chip utiliza una arquitectura de celdas DRAM de mosaico simétrico y está construido en un nodo de fundición de clase 10 nm de 5ª generación optimizado por Samsung para productos DRAM. Lo impresionante de este chip es que permitirá a los proveedores de memoria para PC fabricar módulos DIMM de 32 GB y 48 GB en configuración de rango único con velocidades DDR5-8000; así como módulos DIMM de 64 GB y 96 GB en configuración de doble rango (impresionante, siempre que su plataforma pueda funcionar bien con DDR5-8000 en doble rango).


Fuentes: Harukaze5719 (Twitter), VideoCardz

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