Se espera que el aumento de la producción de HBM3e represente el 35% de la entrada de obleas de procesos avanzados a finales de 2024

TrendForce informa de que los tres mayores proveedores de DRAM están aumentando la entrada de obleas para procesos avanzados. Tras el aumento de los precios de los contratos de memoria, las empresas han impulsado sus inversiones de capital, centrándose la expansión de la capacidad en el segundo semestre de este año. Se espera que la entrada de obleas para procesos de 1 alfa nm y superiores represente aproximadamente el 40% de la entrada total de obleas DRAM a finales de año.

Se dará prioridad a la producción de HBM por su rentabilidad y creciente demanda. Sin embargo, los rendimientos limitados, en torno al 50-60%, y una superficie de oblea un 60% mayor que la de los productos DRAM hacen necesaria una mayor proporción de entrada de obleas. Teniendo en cuenta la capacidad de TSV de cada empresa, se espera que HBM represente el 35% de la producción de obleas de proceso avanzado a finales de este año, mientras que el resto se destinará a productos LPDDR5(X) y DDR5.

En cuanto a los últimos avances en HBM, TrendForce indica que HBM3e se convertirá en la corriente principal del mercado este año, y que los envíos se concentrarán en el segundo semestre. En la actualidad, SK hynix sigue siendo el principal proveedor, junto con Micron, ambos con procesos de 1beta nm y ya suministrados a NVIDIA. Se espera que Samsung, que utiliza un proceso de 1alfa nm, complete su cualificación en el segundo trimestre y comience las entregas a mediados de año.

La creciente demanda de DDR5 y LPDDF5(X) consumirá más capacidad de procesos avanzados

Además de la creciente proporción de demanda de HBM, el aumento del contenido por unidad en PC, servidores y smartphones está impulsando el consumo de capacidad de procesos avanzados cada trimestre. Los servidores, en particular, están experimentando el mayor aumento de capacidad, impulsado principalmente por los servidores de IA con un contenido de 1,75 TB por unidad. Con la producción en masa de nuevas plataformas como Sapphire Rapids de Intel y Genoa de AMD, que requieren memoria DDR5, se espera que la penetración de DDR5 supere el 50% a finales de año.

Mientras tanto, como se espera que los envíos de HBM3e se concentren en la segunda mitad del año -coincidiendo con la temporada alta de demanda de memoria-, también se espera que aumente la demanda de mercado de DDR5 y LPDDR5(X). Sin embargo, debido a las pérdidas financieras experimentadas en 2023, los fabricantes se muestran cautos con sus planes de expansión de capacidad. En general, con una mayor proporción de obleas asignadas a la producción de HBM, la producción de procesos avanzados será limitada. En consecuencia, la asignación de capacidad en la segunda mitad del año será crucial para determinar si la oferta puede satisfacer la demanda.

Posible escasez de DRAM debido a la priorización de la capacidad de HBM

La mayor atención prestada a la producción de HBM podría provocar una escasez de suministro de DRAM si no se amplía suficientemente la capacidad de los procesos avanzados. Actualmente, los planes de nuevas fábricas son los siguientes: Samsung espera que las instalaciones existentes estén totalmente utilizadas a finales de 2024. Está previsto que la nueva planta P4L esté terminada en 2025, y la instalación de la línea 15 se someterá a una transición de proceso de 1Y nm a 1beta nm y superiores. Se espera que la capacidad de la planta M16 de SK hynix se amplíe el año que viene, mientras que la planta M15X también tiene prevista su finalización en 2025, con el inicio de la producción en masa a finales del año que viene. Las instalaciones de Micron en Taiwán volverán a funcionar a plena capacidad el año que viene, y las futuras ampliaciones se centrarán en Estados Unidos. Se espera que la planta de Boise esté terminada en 2025, con la instalación de equipos a continuación y la producción en masa prevista para 2026.

TrendForce señala que, aunque está previsto que las nuevas fábricas estén terminadas en 2025, los plazos exactos para la producción en masa son aún inciertos y dependen de la rentabilidad de 2024. Esta dependencia de los beneficios futuros para financiar nuevas compras de equipos refuerza el compromiso de los fabricantes de mantener los aumentos de precio de las memorias este año. Además, la GB200 de NVIDIA, cuya producción aumentará en 2025, incorporará HBM3e 192/384 GB, lo que podría duplicar la producción de HBM. Con el desarrollo de HBM4 en el horizonte, si no se invierte de forma significativa en ampliar la capacidad, la priorización de HBM podría provocar un suministro insuficiente de DRAM debido a las limitaciones de capacidad.

Fuente: TrendForce