Según se informa, Samsung introducirá su proceso de 1 nm para 2031 mediante la adopción de la tecnología de "láminas bifurcadas" para empaquetar más transistores dentro del mismo área del chip.

Además de desarrollar los procesos GAA de segunda y tercera generación de 2nm, un nuevo informe afirma que Samsung está trabajando para introducir su litografía más avanzada, el proceso de 1nm, denominado nodo “simconductor de ensueño”. Como era de esperar, pasarán unos años antes de que el gigante coreano esté listo para mostrar esta tecnología.

Se dice que el calendario de I+D de la firma se completará para 2030, y el proceso de fabricación está programado para ser introducido en 2031. Naturalmente, va a ser una hazaña casi imposible que reduce el nodo de 2nm a 1nm, pero se dice que Samsung confía en un método de “hoja de horquilla”, lo que permite que se empaqueten más transistores dentro de la misma área.

La hoja de horquilla para el proceso de 1nm de Samsung ayuda a aumentar el recuento de transistores en la misma área al colocar un “muro” entre la arquitectura de las puertas

Con los tres procesos de 2nm utilizando la tecnología GAA (Gate-All-Around) que maximiza la eficiencia energética a través de la expansión de la trayectoria actual de tres carriles a cuatro, incorporar la misma técnica en el nodo 1nm no será tan efectiva. Según Korea Economic Daily, Samsung tiene como objetivo lograr la producción en masa de su tecnología sub-2nm mediante la adición de una pared no conductora entre los dispositivos GAA, similar a pegar una bifurcación en el espacio disponible, de ahí el nombre de hoja de horquilla.

Al igual que la arquitectura de la carcasa, donde los céspedes rodean estructuras adyacentes, el enfoque de Samsung es eliminar esos céspedes y agregar más estructuras, creando más transistores dentro de la misma área de chip. El año pasado, se rumoreó que el gigante tecnológico coreano había cancelado su proceso de 1.4nm por razones no reveladas, aunque más tarde se informó que la compañía había retrasado este nodo hasta 2028, ya que pudo haber querido desviar su atención a la tecnología GAA de 2 nm.

También es probable que Samsung siguiera enfrentando obstáculos de producción porque no había explorado la adopción de la hoja de bifurcación durante ese tiempo. Con la ayuda de investigaciones adicionales, la compañía puede haber escalado este problema, pero solo el tiempo dirá si su proceso de 1nm es exitoso en la ejecución. Mirando a los Exynos 2600, que sufre de problemas de pico de potencia que hacen que el SoC consuma 30W cuando se ejecutan puntos de referencia como Geekbench 6, Samsung aún no ha abordado el aspecto de eficiencia de su proceso GAA de 2 nm.

Este atributo negativo también resulta en la degradación de la duración de la batería, por lo que la versión Snapdragon 8 Elite Gen 5 del Galaxy S26 estándar dura un 28 por ciento más que la variante Exynos 2600. En resumen, Samsung tiene algunas grietas en su armadura que necesita abordar, comenzando con su proceso GAA de 2nm de segunda generación, también conocido como SF2P.

Fuente de noticias: Korea Economic Daily