Según se informa, SK hynix está desarrollando un almacenamiento de alto ancho de banda (HBS) mediante el apilamiento de chips DRAM y NAND, lo que mejorará significativamente el rendimiento de la IA en

Los avances en High Bandwidth Memory (HBM) han llevado al fabricante de memoria surcoreano SK hynix a abordar otro cuello de botella de rendimiento, que se puede resolver mediante el desarrollo de almacenamiento de alto ancho de banda (HBS), lo que permite que los futuros teléfonos inteligentes y tabletas hagan alarde de las impresionantes capacidades de inteligencia artificial. La compañía logrará esta hazaña apilando hasta 16 pilas de chips DRAM y NAND juntos utilizando una tecnología llamada vertical wire fan-out (VFO) para mejorar las velocidades de procesamiento de datos.

VFO ayuda a prevenir pérdidas de transmisión de datos porque conecta pilas de chips DRAM y NAND en línea recta, en lugar de la unión de cables curvados

Un informe de ETNews afirma que para que HBS sea un éxito, el empaque de VFO es primordial. SK hynix introdujo por primera vez esta tecnología en 2023, con High Bandwidth Storage ahora incorporado en teléfonos inteligentes y tabletas a medida que la IA generativa se convierte en una entidad omnipresente. La implementación de HBS es posible gracias a VFO, que ayuda a conectar los chips DRAM y NAND apilados en línea recta.

A diferencia de la unión de cables curvados convencional, VFO reduce la distancia de cableado, la pérdida de transmisión de señal y el retardo, y permite más conexiones de E/S. Todas estas mejoras combinadas ayudan a aumentar el rendimiento del procesamiento de datos. HBS se empaquetará con un conjunto de chips de teléfono inteligente, que luego se instala en la placa lógica del teléfono inteligente o tableta. No hay actualizaciones sobre qué SoCs admitirán High Bandwidth Storage, pero se rumorea que el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro admite almacenamiento LPDDR6 y UFS 5.0, lo que lo convierte en un candidato principal.

¿Será costoso el almacenamiento de alto ancho de banda para los fabricantes de teléfonos inteligentes y tabletas?

A diferencia de HBM, HBS no requiere a través de Silicon Via (TSV), que es un proceso que requiere penetrar en el chip. La eliminación de esta etapa da como resultado menores costes de fabricación y mayores rendimientos, los cuales serán música para los oídos de aquellos que deseen incorporar este almacenamiento. Se informa que Apple utiliza HBM y TSV para dispositivos futuros, lo que permite a los iPhones ejecutar modelos de IA más intensivos a nivel local, por lo que no debería sorprender saber que la compañía ya está explorando HBS.

Fuente de noticias: ETNews