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SK Hynix anuncia la serie PE8000 de SSD empresariales Gen4 NVMe

SK hynix Inc ha anunciado hoy la disponibilidad de la serie "PE8000", su línea más nueva y avanzada de unidades de estado sólido (eSSD) empresariales. La serie PE8000 está diseñada para satisfacer las diversas necesidades de los clientes de centros de datos.

PE8010 y PE8030 son los primeros SSD de memoria no volátil (NVMe) de la compañía que admiten la interfaz PCIe Gen4. Ambas unidades cuentan con el flash 4D NAND de celda de triple nivel (TLC) de 96 capas de la compañía y un controlador interno, que proporciona una capacidad máxima de 8 TB, y son compatibles con los factores de forma U.2 / U.3. PE8010 está diseñado para cargas de trabajo de lectura intensiva, mientras que PE8030 está optimizado para uso mixto.

SSD Los dos productos cuentan con el mayor rendimiento entre los SSD PCIe Gen4 de baja potencia del mercado. Tanto PE8010 como PE8030 pueden ofrecer velocidades de lectura secuenciales de hasta 6.500 MB / sy velocidades de escritura secuenciales de hasta 3.700 MB / s, con operaciones de lectura / escritura aleatorias de hasta 1.100 K y 320 K de operaciones de entrada / salida por segundo (IOP), respectivamente. En comparación con la solución anterior de la compañía lanzada en 2019, PE8010 ofrece mejoras sustanciales de rendimiento del 103% para lecturas secuenciales y del 357% para escrituras aleatorias con un consumo de energía máximo de 17 W. Ambas unidades ahora están tomando muestras con los clientes. Mientras tanto, PE8111 es una solución de almacenamiento de alta capacidad optimizada para aplicaciones de lectura intensiva, construida con la tecnología de vanguardia de SK hynix, el primer flash TLC 4D NAND de 128 capas 1 Tb (Terabit) del mundo. SK hynix está desarrollando actualmente una versión de 16 TB de PE8111 eSSD en el nuevo factor de forma EDSFF 1U Long (E1.L), y planea desarrollar una solución de 32 TB en el futuro. La Compañía está programada para comenzar a tomar muestras de la eSSD PE8111 de 16 TB en el segundo semestre de este año. PE8111 está específicamente optimizado para plataformas de almacenamiento Open Compute Project (OCP), soportando velocidades de lectura y escritura secuenciales de hasta 3,400 MB / sy 3,000 MB / s, y lectura y escritura aleatorias de hasta 700K y 100K IOP, respectivamente. En particular, la solución proporciona la misma capacidad con solo la mitad de la cantidad de matrices NAND en comparación con la solución basada en flash NAND de 512 Gb (Gigabit). Como resultado, la solución ofrece un excelente rendimiento, eficiencia energética y competitividad de precios, sobresaliendo en todos los ámbitos en el mercado de soluciones eSSD existente. SK hynix es un fabricante global de semiconductores de memoria con DRAM, flash NAND y controladores en su cartera, una gama completa de tecnologías para SSD. A pesar de ser relativamente reciente en el mercado de eSSD, la Compañía continúa fortaleciendo su presencia con la experiencia y los conocimientos adquiridos como fabricante líder de DRAM. SK hynix continuará expandiéndose así con un vigoroso desarrollo de productos y ofertas cada vez más diversas en el futuro. "SK hynix ha introducido con éxito sus productos PCIe Gen3 eSSD en el mercado, consolidando su posición competitiva en el negocio de almacenamiento empresarial", dijo el vicepresidente Samil Kim, jefe del negocio de eSSD en SK hynix. "Reforzaremos nuestro liderazgo tecnológico a través de la producción en masa de nuestros productos PCIe Gen4 en el segundo semestre de este año, y también proporcionaremos eSSD con alto rendimiento y confiabilidad a nuestros clientes hiperescaladores y OEM empresariales".

Fuente: SK Hynix


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