SK hynix apunta a la producción de NAND de 400 capas en 2025

Según se informa, SK hynix está desarrollando una memoria flash NAND de 400 capas, con planes para iniciar la producción en masa a finales de 2025. La empresa está colaborando con socios de la cadena de suministro para desarrollar las tecnologías de proceso y los equipos necesarios para chips NAND de 400 capas o más. Esta información procede de un reciente artículo del medio coreano etnews que cita fuentes del sector.

SK hynix pretende utilizar tecnología de unión híbrida para lograrlo, lo que se espera que traiga nuevos materiales de embalaje y proveedores de componentes a la cadena de suministro. El proceso de desarrollo implica explorar nuevos materiales de unión y diversas tecnologías para conectar obleas diferentes, como el pulido, el grabado, la deposición y el cableado. SK hynix pretende tener lista la tecnología y la infraestructura a finales del año que viene.

Esta tendencia a aumentar las capas de chips NAND no es exclusiva de SK hynix; otros fabricantes de semiconductores están empujando en la misma dirección:

Samsung inició recientemente la producción en masa de V-NAND de 290 capas y aspira a superar las 1000 capas en 2030.

Micron lanzó en julio un producto con una NAND 3D de 276 capas.

Kioxia logró 218 capas en 2023 y sugiere que será posible alcanzar las 1.000 capas en 2027.

En comparación, SK hynix presentó una muestra de NAND de 321 capas en agosto de 2023. Para alcanzar las 400 capas, la empresa planea implantar una unión híbrida con una estructura de "oblea a oblea" (W2W). Este enfoque difiere de su actual método "Peripheral Under Cell" (PUC), que apila las celdas sobre la zona del circuito de conducción periférica.

El cambio a la unión híbrida pretende resolver los problemas que plantea el aumento del número de capas, como el posible daño a los periféricos durante el proceso de apilamiento de células debido al calor y la presión elevados. Al fabricar las células y los periféricos en obleas separadas antes de unirlas, SK hynix espera poder aumentar el número de capas de forma estable y proteger al mismo tiempo los componentes periféricos.

Cuando etnews le preguntó por el desarrollo de la NAND de 400 capas, SK hynix declinó confirmar detalles concretos sobre el desarrollo de la tecnología o los plazos de producción en masa.

Fuentes: etnews, TrendForce