SK Hynix desarrolla la primera memoria DDR5 1c (clase 10nm) del sector

ha anunciado hoy que ha desarrollado la primera memoria DDR5 de 16 Gb del sector construida utilizando su nodo 1c, la sexta generación del proceso de 10 nm. El éxito marca el inicio del escalado extremo al nivel más cercano a los 10 nm en la tecnología de proceso de memoria. El grado de dificultad para avanzar en el proceso de encogimiento de la tecnología DRAM de 10 nm ha crecido a lo largo de las generaciones, pero SK hynix se ha convertido en el primero del sector en superar las limitaciones tecnológicas elevando el nivel de acabado en el diseño, gracias a su tecnología líder en el sector del 1b, la quinta generación del proceso de 10 nm.

SK hynix afirmó que estará lista para la producción en masa de la 1c DDR5 en el plazo de un año para iniciar el envío en volumen el año que viene. Con el fin de reducir los posibles errores derivados del procedimiento de avance del proceso y transferir la ventaja de la 1b, ampliamente aplaudida por su DRAM de mejor rendimiento, de la forma más eficiente, la empresa amplió la plataforma de la DRAM 1b para el desarrollo de la 1c. El nuevo producto viene acompañado de una mejora de la competitividad de costes, en comparación con la generación anterior, mediante la adopción de un nuevo material en determinados procesos del ultravioleta extremo, o EUV, al tiempo que se optimiza el proceso de aplicación EUV del total. SK hynix también ha mejorado la productividad en más de un 30% gracias a la innovación tecnológica en el diseño.

La velocidad de funcionamiento de la 1c DDR5, que se espera adoptar para los centros de datos de alto rendimiento, se mejora en un 11% respecto a la generación anterior, hasta los 8 Gbps. Con una eficiencia energética también mejorada en más de un 9%, SK hynix espera que la adopción de la DRAM 1c ayude a los centros de datos a reducir el coste eléctrico hasta en un 30%, en un momento en el que el avance de la era de la IA está provocando un aumento del consumo energético.

«Estamos comprometidos a proporcionar valores diferenciados a los clientes mediante la aplicación de la tecnología 1c equipada con el mejor rendimiento y competitividad de costes a nuestros principales productos de próxima generación, incluyendo HBM, LPDDR6 y GDDR7», dijo el Jefe de Desarrollo de DRAM Kim Jonghwan. «Seguiremos trabajando para mantener el liderazgo en el espacio de la DRAM y la posición como el proveedor de soluciones de memoria de IA más fiable».