SK Hynix desarrolla una solución UFS 4.1 con NAND de 321 capas

SK hynix Inc. ha anunciado hoy que ha desarrollado un producto de solución UFS 4.1 que adopta la memoria flash NAND 4D de triple celda de 321 capas y 1 Tb más alta del mundo para aplicaciones móviles. El desarrollo se produce en medio de los crecientes requisitos de alto rendimiento y bajo consumo de un producto de solución NAND para garantizar un funcionamiento estable de la IA en el dispositivo. La compañía espera que el producto UFS 4.1, optimizado para la carga de trabajo de IA, contribuya a mejorar su liderazgo en memoria en los mercados de smartphones insignia.

Con el aumento de la demanda de inteligencia artificial en los dispositivos, que hace cada vez más importante el equilibrio entre la capacidad de cálculo y la eficiencia de la batería de un dispositivo, el mercado de la telefonía móvil exige ahora delgadez y bajo consumo a los dispositivos móviles. El último producto presenta una mejora del 7% en la eficiencia energética, en comparación con la generación anterior basada en NAND de 238 hilos, y un grosor más fino de 0,85 mm, frente a los 1 mm anteriores, para encajar en smartphones ultrafinos.

El producto también admite una velocidad de transferencia de datos de 4.300 MB/s, la lectura secuencial más rápida para una UFS de cuarta generación, al tiempo que proporciona el mejor rendimiento de su clase al mejorar también la velocidad de lectura y escritura aleatorias, críticas para la multitarea, en un 15% y un 40%, respectivamente. Se espera que el suministro inmediato de los datos necesarios para la IA en el dispositivo y la mayor velocidad de ejecución y capacidad de respuesta de una aplicación mejoren la experiencia del usuario.

SK hynix tiene previsto obtener la cualificación de los clientes en el transcurso del año y realizar envíos en volumen a partir del primer trimestre del año que viene. El producto se suministrará en dos tipos de capacidad: 512 GB y 1 TB.

Ahn Hyun, Presidente y Director de Desarrollo, ha declarado que SK hynix tiene previsto completar este año el desarrollo de las SSD basadas en NAND 4D de 321 h de altura, tanto para consumidores como para centros de datos. «Estamos en camino de ampliar nuestra posición como proveedor de memoria de IA de pila completa en el espacio NAND mediante la construcción de una cartera de productos con ventaja tecnológica de IA».

Fuente: SK hynix