SK hynix envía muestras de la memoria HBM4E de próxima generación de 12 capas.

SK hynix Inc. anunció hoy que ha enviado muestras de HBM4E, una DRAM de próxima generación para IA, a los principales clientes. "La compañía pudo entregar muestras del HBM4E de 12 pilas a tiempo gracias a su avanzada experiencia en desarrollo y producción de HBM para HBM", dijo SK hynix, y agregó que "trabajaremos estrechamente con los socios para la producción en masa de manera oportuna". El HBM4E de 12 capas muestra mejoras tanto en rendimiento como en eficiencia energética. El producto cuenta con una velocidad máxima de procesamiento de datos de 16 Gbps por pin y una eficiencia energética que ha aumentado más del 20 por ciento de los modelos anteriores. Estas mejoras mejoran las capacidades de procesamiento de datos para la capacitación e inferencia de IA.

El HBM4E reduce la latencia de transferencia de datos a través de su última interfaz y optimización de diseño, manteniendo un funcionamiento estable en entornos de alto ancho de banda. Esto permite a los clientes aumentar la eficiencia en el procesamiento de datos para centros de datos de IA y sistemas informáticos a gran escala. SK hynix utiliza la tecnología Advanced MR-MUF para los productos HBM4E para lograr una capacidad de 48 GB en una pila de 12 capas al tiempo que garantiza la estabilidad estructural. En particular, la compañía también ha mejorado la resistencia al calor en un 17 por ciento, en comparación con el HBM4 anterior, lo que permite un funcionamiento estable de los chips de memoria en entornos informáticos de alto rendimiento.

SK hynix ha suministrado con éxito soluciones de memoria optimizadas a los clientes en función de su experiencia en la producción y el suministro en masa de HBM3, HBM3E y HBM4. Aprovechando su confiabilidad de producto probada en el mercado y sus capacidades de suministro, la compañía apoyará el desarrollo de la infraestructura de próxima generación al tiempo que ayudará a abordar los cuellos de botella del sistema de inteligencia artificial.

"SK hynix ha sentado las bases para fortalecer su liderazgo en inteligencia artificial con HBM4E basado en sus capacidades tecnológicas y experiencia en fabricación líderes en el mercado", dijo Ahn Hyun, presidente y director de desarrollo, y agregó: "A través de una estrecha colaboración con nuestros socios, ofreceremos el valor necesario en el mercado al tiempo que reforzaremos nuestro liderazgo tecnológico como un creador de memoria de IA de pila completa".