SK hynix inicia la producción en masa de la primera NAND de 321 W del mundo

SK hynix Inc. ha anunciado hoy que ha iniciado la producción en serie de la primera memoria Flash NAND 4D de 321 niveles de altura basada en celdas de triple nivel del mundo, con una capacidad de 1 Tb. Tras su anterior récord como primer proveedor del sector de la NAND de 238 capas más alta del mundo desde junio del año pasado, SK hynix se ha convertido en el primer proveedor mundial de la NAND con más de 300 capas al encontrar un avance tecnológico para el apilamiento. La empresa tiene previsto suministrar productos de 321 capas a sus clientes a partir del primer semestre del año que viene.

El apilamiento de más de 300 capas se hizo realidad gracias a que la empresa adoptó con éxito la tecnología de proceso de «3 tapones». Conocido por su excelente eficacia de producción, el proceso conecta eléctricamente tres enchufes mediante un proceso de seguimiento optimizado una vez finalizados los procesos de tres enchufes. Para el proceso, SK hynix desarrolló un material de baja tensión, al tiempo que introdujo la tecnología que corrige automáticamente las alineaciones entre los enchufes.

Con la adopción de la misma plataforma de desarrollo de la NAND de 238 en el producto de 321, la empresa también pudo mejorar la productividad en un 59%, en comparación con la generación anterior, minimizando cualquier impacto de un cambio de proceso.

El último producto presenta una mejora del 12% en la velocidad de transferencia de datos y del 13% en el rendimiento de lectura, en comparación con la generación anterior. También mejora la eficiencia energética de la lectura de datos en más de un 10%.

SK hynix planea ampliar constantemente el uso de los productos 321-high, proporcionándolos a las incipientes aplicaciones de IA, que requieren bajo consumo y alto rendimiento.

Jungdal Choi, director de desarrollo de NAND de SK hynix, ha declarado que este último avance acerca a la empresa al liderazgo del mercado de almacenamiento de IA, representado por las SSD para centros de datos de IA y la IA en dispositivos. «SK hynix está en camino de avanzar hacia el proveedor de memoria de IA de pila completa mediante la adición de una cartera perfecta en el espacio de NAND de rendimiento ultra alto además del negocio de DRAM liderado por HBM».