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SK Hynix mostrará sus memorias GDDR7, HBM3E de 48 GB y 16 capas y LPDDR5T-10533 en el IEEE-SSCC

Samsung no es el único gigante coreano de la memoria que mostrará sus últimas novedades tecnológicas en la próxima Conferencia sobre Circuitos de Estado Sólido (SSCC) del IEEE, que se celebrará en febrero de 2024; a él se unirá SK Hynix, que mostrará tecnología competitiva en sus líneas de memoria volátil y no volátil. Para empezar, SK Hynix será la segunda empresa en presentar un chip de memoria GDDR7, después de Samsung. El chip de SK Hynix es capaz de alcanzar velocidades de 35,4 Gbps, inferiores a los 37 Gbps de Samsung, pero con la misma densidad de 16 Gbit. Esta densidad permite desplegar 16 GB de memoria de vídeo a través de un bus de memoria de 256 bits. No todas las GPU de nueva generación alcanzarán los 37 Gbps, algunas pueden funcionar a velocidades de memoria inferiores, y tienen opciones adecuadas en la pila de productos de SK Hynix. Al igual que Samsung, SK Hynix está implementando la señalización de E/S PAM3 y una arquitectura propia de bajo consumo (aunque la compañía no ha querido dar detalles sobre si es similar a los cuatro estados de reloj de baja velocidad de los chips Samsung).


La GDDR7 dominará la próxima generación de tarjetas gráficas en los segmentos de juegos y vídeo profesional; sin embargo, el mercado de procesadores HPC de inteligencia artificial seguirá apostando con fuerza por la HBM3E. SK Hynix ha innovado en este terreno y mostrará un nuevo diseño de pila HBM3E de 48 GB (384 Gbit) y 16 alturas, capaz de alcanzar 1280 GB/s en una sola pila. Un procesador con cuatro pilas de este tipo tendrá 192 GB de memoria a 5,12 TB/s de ancho de banda. La pila implementa un nuevo diseño TSV (through silicon via) de potencia total y un esquema RDQS (read data queue strobe) de 6 fases para la optimización del área TSV. Por último, las sesiones de SK Hynix incluirán también la primera demostración de su ambicioso estándar de memoria LPDDR5T (LPDDR5 Turbo), destinado a teléfonos inteligentes, tabletas y portátiles ligeros y delgados. Este chip alcanza una velocidad de datos de 10,5 Gb/s por pin y una tensión de DRAM de 1,05 V. Estas velocidades de datos tan altas son posibles gracias a una tecnología propia de reducción de la capacitancia parásita y a una tecnología de receptor calibrado por desplazamiento de tensión.


Fuentes: Harukaze5719 (Twitter), VideoCardz

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