Samsung no es el único gigante coreano de la memoria que mostrará sus últimas novedades tecnológicas en la próxima Conferencia sobre Circuitos de Estado Sólido (SSCC) del IEEE, que se celebrará en febrero de 2024; a él se unirá SK Hynix, que mostrará tecnología competitiva en sus líneas de memoria volátil y no volátil. Para empezar, SK Hynix será la segunda empresa en presentar un chip de memoria GDDR7, después de Samsung. El chip de SK Hynix es capaz de alcanzar velocidades de 35,4 Gbps, inferiores a los 37 Gbps de Samsung, pero con la misma densidad de 16 Gbit. Esta densidad permite desplegar 16 GB de memoria de vídeo a través de un bus de memoria de 256 bits. No todas las GPU de nueva generación alcanzarán los 37 Gbps, algunas pueden funcionar a velocidades de memoria inferiores, y tienen opciones adecuadas en la pila de productos de SK Hynix. Al igual que Samsung, SK Hynix está implementando la señalización de E/S PAM3 y una arquitectura propia de bajo consumo (aunque la compañía no ha querido dar detalles sobre si es similar a los cuatro estados de reloj de baja velocidad de los chips Samsung).

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