SK hynix presenta la hoja de ruta de la futura tecnología DRAM en IEEE VLSI 2025

SK hynix Inc. ha anunciado hoy que ha presentado una nueva hoja de ruta de la tecnología DRAM para los próximos 30 años y la dirección para una innovación sostenible en el simposio IEEE VLSI 2025 celebrado en Kyoto, Japón. Cha Seon Yong, Director de Tecnología (CTO) de SK hynix, pronunció el 10 de junio una sesión plenaria sobre «Impulsar la innovación en la tecnología DRAM: Hacia un futuro sostenible».

En su discurso, el CTO Cha explicó que cada vez es más difícil mejorar el rendimiento y la capacidad con el escalado a través de la plataforma tecnológica actual. «Para superar estas limitaciones, SK hynix aplicará la plataforma 4F² VG (Vertical Gate) y la tecnología DRAM 3D a las tecnologías de nivel de 10 nanómetros o inferior con innovación en estructura, material y componentes», afirmó. La plataforma 4F² VG es una tecnología de memoria de nueva generación que minimiza el área de celda de la DRAM y permite una alta integración, alta velocidad y bajo consumo a través de una estructura de puerta vertical.

En la actualidad, las celdas 6F2 son habituales, pero aplicando la tecnología de celdas 4F2 y unión de obleas que sitúa la parte del circuito por debajo del área de la celda, se pueden mejorar la eficiencia y las características eléctricas de la celda.

El CTO Cha también presentó la DRAM 3D como el principal pilar de la futura DRAM junto con la VG. El CTO Cha afirmó que, aunque algunos en la industria advierten del aumento de costes en función del número de capas apiladas, esto puede solucionarse mediante la innovación tecnológica constante.

Junto con el avance estructural, la empresa también se esforzará por encontrar un nuevo motor de crecimiento sofisticando las tecnologías de los materiales y componentes críticos de la DRAM para sentar las bases de los próximos 30 años.

«Hasta 2010 aproximadamente, se esperaba que la tecnología DRAM se enfrentara a limitaciones en los 20 nanómetros, pero con una innovación constante, hemos llegado hasta aquí», dijo el CTO Cha. «SK hynix seguirá guiando el futuro de la innovación tecnológica a largo plazo para ser un hito para los jóvenes ingenieros en el campo de la DRAM y mantener la cooperación dentro de la industria para hacer realidad el futuro de la DRAM».

El último día del evento, Joodong Park, vicepresidente que dirige la Next Gen DRAM TF, presentará los resultados de una reciente investigación sobre cómo el VG y la tecnología de unión de obleas afectan a las características eléctricas de la DRAM.