SK Hynix presenta su estrategia de productos de almacenamiento NAND de próxima generación en OCP 2025

SK hynix Inc. (o "la compañía", www.skhynix.com) anunció hoy que presentó su estrategia de productos de almacenamiento NAND de próxima generación en la Cumbre Global OCP (Open Compute Project) 2025, celebrada en San José, California, del 13 al 16 de octubre. SK hynix dijo que, con el rápido crecimiento del mercado de inferencia de IA, la demanda de productos de almacenamiento NAND capaces de procesar datos de gran volumen de manera rápida y eficiente está aumentando dramáticamente. La compañía satisfará las necesidades de los clientes mediante el establecimiento de la línea de productos de solución de la familia AIN (AI-NAND), optimizada para la era de la IA.

Chun Sung Kim, Jefe de Desarrollo de Productos de eSSD en SK hynix, presentó a la Familia AIN durante la Sesión Ejecutiva el segundo día del evento. La familia AIN consiste en productos de soluciones NAND optimizados para el rendimiento, el ancho de banda y la densidad, respectivamente, que están diseñados para mejorar la velocidad de procesamiento de datos y la capacidad de almacenamiento.

 

AIN P (Performance) es una solución para procesar eficientemente datos de gran volumen generados bajo cargas de trabajo de inferencia de IA a gran escala. El producto aumenta significativamente la velocidad de procesamiento y la eficiencia energética al minimizar el cuello de botella entre el almacenamiento y las operaciones de inteligencia artificial. SK hynix está diseñando NAND y controladores con nuevas estructuras y planes para liberar muestras a finales de 2026.

AIN D (Density) es una solución de alta densidad diseñada para almacenar una gran cantidad de datos con bajo consumo de energía y costo adecuado para almacenar datos de IA. La compañía apunta a aumentar la densidad al nivel de petabyte (PB) desde terabyte (TB) de los SSD actuales basados en QLC, y apuntar a una solución de almacenamiento de gama media que implemente tanto la velocidad de SSD como la efi

AIN B (Bandwidth) es la solución de SK hynix que aprovecha la tecnología HBF. Este producto expande el ancho de banda al apilar verticalmente múltiples NAND.

Con capacidades globales de desarrollo y producción de HBM de alto nivel, SK hynix ha estado llevando a cabo investigaciones sobre AIN B desde la etapa inicial para abordar la brecha de capacidad de memoria impulsada por la expansión de la inferencia de IA y la ampliación de los LLM. La clave es combinar la estructura de apilamiento de HBM con una alta densidad y un flash NAND rentable. La compañía está teniendo en cuenta varias estrategias para AIN B, como la colocación junto con HBM para mejorar la capacidad general del sistema.

SK hynix acogió conjuntamente HBF Night con Sandisk, después de que ambas partes entraran en un memorando de entendimiento para la estandarización de HBF en agosto, para expandir el ecosistema tecnológico. El evento se llevó a cabo en The Tech Interactive, cerca de la sede de la Cumbre Global de OCP, el día 14o.

En el evento, se llevó a cabo una mesa redonda con miembros de la facultad coreana y extranjera, con la participación de numerosos arquitectos de la industria* e ingenieros. Durante el evento, se propuso un esfuerzo de colaboración en toda la industria para acelerar la innovación en los productos de almacenamiento de NAND.

"A través de OCP Global Summit y HBF Night, pudimos mostrar el presente y el futuro de SK hynix como un proveedor global de soluciones de memoria de IA, prosperando en un mercado de IA en rápida evolución", dijo Ahn Hyun, presidente y director de desarrollo. "En el mercado de almacenamiento NAND de próxima generación, SK hynix colaborará estrechamente con los clientes y socios para convertirse en un jugador clave".