SK hynix prevé que la demanda de memoria supere a la oferta hasta 2030

SK hynix reportó sus últimos resultados trimestrales del tercer trimestre de 2026 con un récord de $ 78.129 mil millones en ingresos netos. Sin embargo, la compañía también compartió una perspectiva de mercado, destacando sus acuerdos de suministro a largo plazo y los planes de expansión con nueva capacidad de fábrica e instalaciones en construcción. Para el mercado de consumo, las perspectivas son sombrías, ya que SK hynix espera que la demanda de memoria continúe superando la oferta hasta 2030. La principal restricción de suministro es la complejidad de los nodos semiconductores de vanguardia y los largos plazos de entrega para la construcción fab, que tardan años en traducirse en volúmenes regulares de producción en masa.

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A pesar de la demanda sostenida, los precios también están en una trayectoria ascendente, con el precio promedio de venta de los módulos de memoria en el tercer trimestre aumentando en más del 20% en comparación con el segundo trimestre. Esto es preocupante, ya que sugiere que los precios de los dispositivos electrónicos de consumo podrían aumentar en más del 20% una vez que se agote el inventario de memoria. Aunque SK hynix espera una disminución en los envíos de PC y teléfonos inteligentes, esto se verá compensado por un fuerte despliegue de centros de datos de inteligencia artificial. Alrededor de 14 clientes importantes, incluida la mayoría de los hiperescaladores, han firmado acuerdos a largo plazo de 5 años, que representarán más del 50% de la capacidad total vendida para 2027 y 2028.

SK hynix espera que su negocio de DRAM continúe adoptando agresivamente el nodo de 1c nm. Como recordatorio, los nodos de DRAM difieren de los nodos lógicos convencionales. Los fabricantes de DRAM utilizan variaciones de 10 nm, escalándolos con más capas de EUV o características avanzadas. Para el hínix SK, el nodo 1b actualmente dominante es de alrededor de 12-13 nm en diseño real e implica aproximadamente 4 capas de patrón de EUV, mientras que el nodo 1c más avanzado se reduce a 11-12 nm con 5-6 capas de EUV. SK hynix utilizará el nodo 1c para fabricar memoria HBM4E, LPDDR6 y DDR5. Para el nodo 1b más antiguo, SK hynix produce DDR5, LPDDR5X, HBM3E y HBM4.

En el segmento de HBM, se espera que el cuarto trimestre vea a HBM4 superar a HBM3E en el envío y la participación en los ingresos, y se han finalizado las negociaciones para 2027 HBM. Finalmente, para NAND, la mayoría de la producción es ahora de 321 capas NAND Flash, y SK hynix continúa trabajando en soluciones HBF.

Fuente: SK hynix