SK Hynix quiere lanzar HBM3E este año y HBM4 en 2026

SK Hynix ha desvelado ambiciosas hojas de ruta para la memoria de alto ancho de banda (HBM) en SEMICON Korea 2024. El vicepresidente Kim Chun-hwan ha anunciado planes para producir en masa la vanguardista HBM3E en la primera mitad de 2024, con muestras de pilas de 8 capas ya suministradas a clientes. Esta iteración avanza a pasos agigantados para satisfacer la creciente demanda de ancho de banda de datos, ofreciendo 1,2 TB/s por pila y 7,2 TB/s en una configuración de 6 pilas. El Vicepresidente Kim Chun-hwan cita la rápida aparición de la inteligencia artificial generativa, con una tasa de crecimiento anual media prevista del 35%, como un factor clave. Advierte de la "feroz competencia por la supervivencia" que se avecina en el sector de los semiconductores ante las crecientes expectativas de los clientes. A medida que se acercan los límites en la reducción de los nodos de proceso convencionales, la atención se desplaza a las arquitecturas y materiales de memoria de nueva generación para liberar rendimiento.

SK Hynix ya ha iniciado el desarrollo de HBM4 para su muestreo en 2025 y su producción en serie al año siguiente. Según Micron, HBM4 aprovechará una interfaz más amplia de 2048 bits en comparación con las anteriores generaciones de HBM para aumentar el ancho de banda máximo teórico por pila de memoria a más de 1,5 TB/s. Para alcanzar estos altos anchos de banda manteniendo un consumo razonable, HBM4 tiene como objetivo una velocidad de transferencia de datos de unos 6 GT/s. La interfaz más amplia y las velocidades de 6 GT/s permiten a HBM4 superar con creces los límites del ancho de banda en comparación con versiones anteriores de HBM, lo que impulsa la necesidad de computación de alto rendimiento y cargas de trabajo de IA. Pero la eficiencia energética se equilibra cuidadosamente evitando tasas de transferencia poco prácticas. Además, Samsung se ha alineado con un calendario similar para 2025/2026. Además de superar los límites del ancho de banda, las soluciones HBM personalizadas serán cada vez más cruciales. Jaejune Kim, ejecutivo de Samsung, revela que más de la mitad de su volumen de HBM se compone ya de productos especializados. Adaptar aún más la HBM4 a las necesidades de cada cliente mediante la integración lógica representa una oportunidad para consolidar el liderazgo. A medida que las cargas de trabajo de IA evolucionan a velocidades vertiginosas, la innovación en memoria debe seguir el ritmo. Con HBM3E preparándose para el lanzamiento y HBM4 en el plan, SK Hynix y Samsung se están preparando para los retos que se avecinan.

Fuente: Business Korea