SK hynix supuestamente está desarrollando la memoria «LPDDR5M», más eficiente energéticamente que el estándar LPDDR5X

Según la publicación surcoreana Money Today, SK hynix está desarrollando otra variante de LPDDR5. El megaproveedor de chips de memoria DRAM y flash ha revelado públicamente su diseño de LPDDR5 Turbo (T) para finales de 2023; esta iteración se anunciaba como el «estándar de memoria móvil más rápido del mundo». La primera demostración pública de LPDDR5T (10533) se realizó en la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido del IEEE del pasado febrero. En la actualidad, el conocido estándar LPDDR5X prevalece en todos los canales comerciales. Los expertos creen que se propondrá un nuevo diseño «LPDDR5M» como alternativa de menor consumo a LPDDR5X.

Los expertos creen que el estándar LPDDR5M, aún por anunciar, funciona a voltajes más bajos (0,98 V) que los actuales (X: 1,05 V). Dada la naturaleza de su acrónimo (Low Power Double Data Rate), este tipo de memoria se concibió pensando en operaciones eficientes, ideales para aplicaciones móviles. Un topo de la industria propone que las discusiones internas de la empresa han puesto de relieve una diferencia porcentual clave: «a máxima velocidad, LPDDR5M es un ~8% más eficiente energéticamente que LPDDR5X». El reciente artículo de Money Today SK menciona que los antiguos estándares LPDDR4 son clasificados como «productos heredados» por la dirección de la empresa. En cambio, las variantes LPDDR5 (supuestamente) se clasifican como «productos de alto valor añadido». La rumoreada incorporación de LPDDR5M es vista -por los observadores regionales del sector de las memorias- como una fortificación (y diversificación) de la estrategia de SK hynix, que ya abarca LPDDR5X y LPDDR5T. Los rumores apuntan a que la memoria LPDDR5M está destinada a formar parte de la próxima generación de teléfonos inteligentes con funciones de inteligencia artificial integradas.

Fuentes: Money Today Corea del Sur, Wccftech