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STMicroelectronics construirá en Italia la primera planta de carburo de silicio totalmente integrada del mundo

STMicroelectronics, líder mundial en semiconductores que da servicio a clientes de todo el espectro de aplicaciones electrónicas, anuncia la construcción en Catania (Italia) de una nueva planta de fabricación de carburo de silicio («SiC») de 200 mm de alto volumen para dispositivos y módulos de potencia, así como para pruebas y embalaje. En combinación con la planta de fabricación de sustratos de SiC que se está preparando en el mismo lugar, estas instalaciones formarán el Campus de Carburo de Silicio de ST, haciendo realidad la visión de la compañía de una planta de fabricación totalmente integrada verticalmente para la producción en masa de SiC en un solo lugar.La creación del nuevo Campus de Carburo de Silicio es un hito clave para apoyar a los clientes de dispositivos de SiC en aplicaciones de automoción, industriales y de infraestructura en la nube, en su transición hacia la electrificación y la búsqueda de una mayor eficiencia.



«Las capacidades totalmente integradas desbloqueadas por el Campus de Carburo de Silicio en Catania contribuirán significativamente al liderazgo de la tecnología SiC de ST para los clientes de automoción e industriales a lo largo de las próximas décadas», dijo Jean-Marc Chery, Presidente y Consejero Delegado de STMicroelectronics. «La escala y las sinergias que ofrece este proyecto nos permitirán innovar mejor con una capacidad de fabricación de gran volumen, en beneficio de nuestros clientes europeos y mundiales en su transición a la electrificación y en la búsqueda de soluciones más eficientes energéticamente para cumplir sus objetivos de descarbonización.»


STMicroelectronics Italia

El Campus de Carburo de Silicio servirá como centro del ecosistema global de SiC de ST, integrando todos los pasos del flujo de producción, incluido el desarrollo de sustratos de SiC, los procesos de crecimiento epitaxial, la fabricación de obleas frontales de 200 mm y el montaje posterior de módulos, así como I+D de procesos, diseño de productos, laboratorios avanzados de I+D para troqueles, sistemas de potencia y módulos, y capacidades completas de embalaje. Con ello se conseguirá una producción en masa de obleas de SiC de 200 mm, la primera de su clase en Europa, en la que cada paso del proceso -sustrato, epitaxia y front-end, y back-end- utilizará tecnologías de 200 mm para mejorar el rendimiento y las prestaciones.


Está previsto que las nuevas instalaciones empiecen a producir en 2026 y alcancen su plena capacidad en 2033, con hasta 15.000 obleas por semana a pleno rendimiento. Se prevé que la inversión total ronde los 5.000 millones de euros, con una ayuda de unos 2.000 millones de euros aportados por el Estado italiano en el marco de la Ley de chips de la UE. Las prácticas sostenibles forman parte integral del diseño, desarrollo y funcionamiento del Campus del Carburo de Silicio para garantizar el consumo responsable de recursos, incluidos el agua y la energía.


Información adicional

El carburo de silicio («SiC») es un material compuesto (y una tecnología) clave formado por silicio y carbono que ofrece varias ventajas sobre el silicio convencional para aplicaciones de potencia. La amplia banda prohibida del SiC y sus características intrínsecas -mejor conductividad térmica, mayor velocidad de conmutación, baja disipación- lo hacen especialmente adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia de alto voltaje (especialmente por encima de 1.200 V). Los dispositivos de potencia de SiC, en forma de MOSFET de SiC vendidos como troquel desnudo y módulos completos de SiC, son especialmente útiles en vehículos eléctricos, infraestructuras de carga rápida, energías renovables y diversas aplicaciones industriales, incluidos los centros de datos, ya que ofrecen mayores corrientes eléctricas y menores fugas que los semiconductores de silicio tradicionales, lo que aumenta la eficiencia energética. Sin embargo, la fabricación de chips de SiC es más difícil y costosa que la de chips de silicio, con muchos retos que superar en la industrialización del proceso de fabricación.


El liderazgo de ST en SiC es el resultado de 25 años de enfoque y compromiso en I+D con una amplia cartera de patentes clave. Catania ha sido durante mucho tiempo un importante lugar de innovación para ST, ya que alberga las mayores operaciones de I+D y fabricación de SiC, contribuyendo con éxito al desarrollo de nuevas soluciones para producir más y mejores dispositivos de SiC. Con un ecosistema establecido en electrónica de potencia, que incluye una exitosa colaboración a largo plazo entre ST y la Universidad de Catania y el CNR (Consejo Nacional de Investigación Italiano), así como una amplia red de proveedores, esta inversión reforzará el papel de Catania como centro de competencia global para la tecnología SiC y para nuevas oportunidades de crecimiento.


ST fabrica actualmente sus productos estrella de SiC de gran volumen en dos líneas de obleas de 150 milímetros en Catania (Italia) y Ang Mo Kio (Singapur). Un tercer centro es una empresa conjunta con Sanan Optoelectronics, con una instalación de 200 milímetros en construcción en Chongqing (China), dedicada a ST para atender el mercado chino. Las instalaciones de producción de obleas de ST cuentan con el apoyo de operaciones de ensamblaje y pruebas de gran volumen cualificadas para la automoción en Bouskoura (Marruecos) y Shenzhen (China). La I+D y la industrialización de sustratos de SiC se llevan a cabo en Norrköping (Suecia) y Catania, donde la planta de fabricación de sustratos de SiC de ST está aumentando la producción y se encuentra la mayor parte del personal de I+D y diseño de productos de SiC de ST.


Fuente: STMicroelectronics

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