STMicroelectronics mejora las interconexiones ópticas para acelerar la IA y los centros de datos en la nube

STMicroelectronics, líder mundial en semiconductores que da servicio a clientes de todo el espectro de aplicaciones electrónicas, presenta su próxima generación de tecnologías patentadas para una interconexión óptica de mayor rendimiento en centros de datos y clústeres de IA. Con el crecimiento exponencial de las necesidades de computación de la IA, surgen retos en el rendimiento y la eficiencia energética de la computación, la memoria, la fuente de alimentación y las interconexiones que los conectan. ST está ayudando a los hiperescaladores, y es el principal proveedor de módulos ópticos, a superar estos retos con las nuevas tecnologías de fotónica de silicio y BiCMOS de nueva generación, cuyo lanzamiento está previsto a partir de la segunda mitad de 2025 para módulos ópticos de 800 Gb/s y 1,6 Tb/s.

En el corazón de las interconexiones de un centro de datos hay miles, o incluso cientos de miles, de transceptores ópticos. Estos dispositivos convierten las señales ópticas en eléctricas y viceversa para permitir el flujo de datos entre los recursos informáticos de la unidad de procesamiento gráfico (GPU), los conmutadores y el almacenamiento. Dentro de estos transceptores, la nueva tecnología de fotónica de silicio (SiPho) propiedad de ST ofrecerá a los clientes la capacidad de integrar múltiples componentes complejos en un solo chip, mientras que la tecnología BiCMOS de nueva generación propiedad de ST aporta conectividad óptica de ultra alta velocidad y bajo consumo, que son clave para sostener el crecimiento de la IA.

«La demanda de IA está acelerando la adopción de tecnología de comunicación de alta velocidad en el ecosistema de los centros de datos. Este es el momento adecuado para que ST introduzca una nueva tecnología fotónica de silicio de bajo consumo y la complemente con una nueva generación de BiCMOS para que nuestros clientes diseñen la próxima oleada de productos de interconexión óptica, que permitirán soluciones de 800 Gbps/1,6Tbps para los hiperescaladores», afirma Remi El-Ouazzane, Presidente del Grupo de Microcontroladores, CI digitales y productos de RF de STMicroelectronics. «Ambas tecnologías se fabricarán en procesos de 300 mm en Europa, aportando a los clientes un suministro independiente de gran volumen para dos componentes clave de su estrategia de desarrollo de módulos ópticos. El anuncio de hoy representa el primer paso para nuestra familia de productos PIC y, gracias a la estrecha colaboración con socios clave a lo largo de toda la cadena de valor, nuestra ambición es convertirnos en un proveedor clave de obleas de fotónica de silicio y BiCMOS para el mercado de centros de datos y clústeres de IA, ya se trate de óptica conectable hoy o de E/S ópticas mañana.»

«AWS se complace en colaborar con STMicroelectronics para desarrollar una nueva tecnología de fotónica de silicio (SiPho), PIC100, que permitirá la interconexión entre cualquier carga de trabajo, incluida la Inteligencia Artificial (IA). AWS está trabajando con STMicroelectronics basándose en su capacidad demostrada para hacer de PIC100 una tecnología SiPho líder para el mercado óptico y de IA. Estamos entusiasmados con las innovaciones potenciales que esto desbloqueará para SiPho», dijo Nafea Bshara, Vicepresidente e Ingeniero Distinguido de Amazon Web Services.

«El mercado de la óptica enchufable para centros de datos está experimentando un crecimiento significativo, valorado en 7.000 millones de dólares en 2024», afirmó el Dr. Vladimir Kozlov, CEO y analista jefe de LightCounting. «Se espera que este mercado crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 23% durante 2025-2030 para superar los 24 mil millones de dólares al final de este período». La cuota de mercado de los transceptores basados en moduladores fotónicos de silicio pasará del 30% en 2024 al 60% en 2030.»

La tecnología SiPho de ST combinada con la tecnología BiCMOS de ST constituyen una plataforma única de silicio de 300 mm para servir al mercado óptico. Ambas tecnologías se están industrializando y se fabricarán en la planta de 300 mm de ST en Crolles (Francia/Europa).

Fuente: STMicroelectronics