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TSMC Accelerates 1.4 nm Plans, Targets 2027 Pilot Runs

  • Foto del escritor: Masterbitz
    Masterbitz
  • 28 ago 2025
  • 2 Min. de lectura

El TSMC ha acelerado silenciosamente el inicio de la construcción de un nuevo gran complejo diseñado para producir obleas de 1,4 nm, aumentando los planes para un sitio multi-construcción conocido como Fab 25. Se espera que la instalación, que se ubicará en el Parque Científico Central de Taiwán, cerca de Taichung, incluya cuatro edificios de producción y lleve una estimación inicial de inversión en el rango de bajo billón de dólares de Nueva Taiwán. El objetivo de la primera planta es que la primera planta comience el riesgo o la producción a finales de 2027 y que la producción de alto volumen aumente en la segunda mitad de 2028 para los principales clientes, principalmente Apple, NVIDIA, AMD y otros. Se ha notificado a los proveedores de equipo y materiales de construcción para acelerar sus entregas, asegurando que las herramientas y materiales especializados lleguen a un horario más corto.

TSMC espera que el nodo de la era Angstrom entregue más del 15% de ganancias de rendimiento y reducciones significativas de energía, al parecer hasta un 30%. Los clientes también pueden esperar costos de obleas sustancialmente más altos en comparación con el nodo de 2 nm, dada la complejidad del nodo y los costos operativos más altos. El constructor también aborda cuestiones de infraestructura, con los reguladores y la empresa negociando compromisos de agua reciclada y desalinización para proteger los suministros locales. Algunas instalaciones de Hsinchu están siendo reacondicionadas para albergar líneas piloto y trabajo de investigación y desarrollo que apoyará el programa de 1,4 nm, y la planificación regional en el sur ya está contemplando futuras fabulosas para nodos aún más pequeños. Si el TSMC cumple con esta línea de tiempo acelerada, Fab 25 ampliará aún más el liderato de la fundición y remodelará la intensidad de capital y la dinámica competitiva de la fabricación de chip avanzada.


Fuente: UDN

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