TSMC afirma que la EUV de baja apertura numérica le permitirá avanzar más, lo que retrasará la adopción de la EUV de alta apertura numérica

Ayer, TSMC dio a conocer su último Vista previa del nodo A13 En el North America Technology Symposium, destacando los desarrollos continuos de la compañía. Sin embargo, la noticia más importante no es sobre un nuevo nodo, sino sobre la tecnología detrás de él. TSMC anunció que confiaría en las herramientas ASML Low-NA EUV más antiguas en lugar de los escáneres EUV de alta NA más caros. Con el escáner EUV de alta NA con un precio de alrededor de € 350 millones ($ 410 millones), el gasto de capital requerido para equipar una instalación moderna es sustancial. TSMC afirma que puede mantener una ventaja competitiva utilizando la tecnología EUV Low-NA existente, que cuesta aproximadamente la mitad por máquina. Kevin Zhang, co-COO adjunto de TSMC y vicepresidente senior, señaló a Reuters: "Aquí es donde creo que nuestra I + D ha funcionado excepcionalmente bien en términos de aprovechar la tecnología EUV existente mientras establece una hoja de ruta de escalado de tecnología agresiva. Esto es definitivamente una fortaleza".

El uso de la litografía de bajo NA EUV por parte de TSMC implica una técnica llamada multi-patrón, donde la máquina EUV toma múltiples pases para grabar un diseño en una sola capa. Al realizar dos ejecuciones de grabado de bajo rango de NA, TSMC puede lograr beneficios similares a la exposición a High-NA, reduciendo efectivamente la necesidad de nuevas herramientas. Sin embargo, existen limitaciones a la técnica de multipatrón de Bajo NA, que se abordará más adelante mediante la introducción de sistemas de Alto-NA, pero solo para nodos a 1 nm y por debajo. Por ahora, y para los nodos recientes, TSMC ve una manera de maximizar el rendimiento de los sistemas Low-NA existentes con un gasto de capital mucho menor que el que se requeriría para los sistemas High-NA.

Curiosamente, Intel utilizó una táctica similar durante el desarrollo de su nodo original de 10 nm, largamente retrasado. La compañía inicialmente creía que los problemas se podían resolver utilizando máquinas DUV tradicionales con técnicas de patrón múltiple, solo para descubrir más tarde que la introducción de la EUV de baja NA podría resolver muchos de estos problemas y mejorar los rendimientos. Hoy en día, Intel se encuentra en la situación opuesta, siendo el primero en adoptar los sistemas de alta NA EUV, que son más agresivos con el grabado y están resolviendo muchos problemas para el nodo 14A. TSMC ahora se desvía a la adopción de los sistemas más nuevos de ASML, con Intel liderando la integración. Esperamos que TSMC no se encuentre en la misma posición que Intel debido a los equipos más costosos y que pueda extraer más de sus sistemas actuales. Sin embargo, en algún momento, la integración de la litografía de la EUV de alta NA será esencial.

Fuente: Vía Reuters