TSMC graba el primer silicio de 2 nm en Fab 22 a medida que se acerca la producción en serie
Masterbitz
7 oct
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TSMC ha logrado un hito significativo con la primera exposición a las obleas utilizando su tecnología de proceso N2 en las instalaciones de Kaohsiung Fab 22. Esto establece el escenario para la fabricación de volumen a finales de 2025. El logro demuestra la disposición a entregar semiconductores de próxima generación a medida que la Fase 1 se acerca a su finalización y la instalación de equipos de Fase 2 progresa después de su inauguración en agosto. Inicialmente planeado en 2021 para la producción de nodos maduros a 7 nm y 28 nm, la instalación experimentó una gran transformación para admitir procesos de vanguardia debido a la creciente demanda de chips móviles avanzados, IA y HPC. Esta inversión de NT$1.5 billones, repartida en seis fases, posicionará el sur de Taiwán como un centro para la fabricación de chips sub-2 nm.
La hoja de ruta de producción describe el enfoque estratégico de TSMC para satisfacer la creciente demanda de los sectores de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. La fase 2 apunta a la producción por volumen para el segundo trimestre de 2026, alineándose bien con el ciclo tradicional de adquisiciones del tercer trimestre de la industria cuando los principales clientes finalizan los pedidos de productos estrella. Las fases posteriores introducirán tecnologías progresivamente avanzadas, incluida la variante A16 con suministro de potencia en el lado posterior y, finalmente, el nodo A14 que usa transistores de nanolámina de puerta para 2028. Esta línea de tiempo supera significativamente a los competidores internacionales, particularmente las operaciones de TSMC en Arizona, que están experimentando retrasos en alcanzar hitos similares. El complejo Kaohsiung es parte de la red de fabricación de TSMC que incluye el Fab 20 de Hsinchu y el próximo Taichung Fab 25, que proporciona flexibilidad para escalar la producción a medida que crecen las demandas mundiales de semiconductores.
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