TSMC renuncia a la litografía de alta resolución para el desarrollo del nodo A14

TSMC ha decidido no utilizar litografía EUV de alta resolución para su próximo nodo angstrom A14. En su lugar, el mayor fabricante de chips por contrato del mundo seguirá utilizando las herramientas EUV de 0,33-NA de eficacia probada. El Vicepresidente Senior de TSMC, Kevin Zhang, ha explicado que esta decisión refleja el interés constante de TSMC por mantener los pasos de fabricación sencillos y los costes bajo control. Zhang señaló que está previsto que la producción en serie de chips A14 comience en 2028, y la empresa cree que puede alcanzar sus objetivos de rendimiento, producción y densidad durante toda la generación de dos nanómetros sin necesidad de equipos de alta AN. Señaló que al limitar el número de capas de máscara de una generación a la siguiente, TSMC puede ofrecer a los clientes soluciones más asequibles sin sacrificar la complejidad allí donde sea necesario.

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Esta estrategia sitúa a TSMC al mismo nivel que Intel Foundry y varios fabricantes de DRAM, que ya han adoptado la tecnología High-NA de forma selectiva para sus capas más críticas. Los escáneres EUV de alto-NA tienen un elevado precio de 380 millones de dólares, requieren mayores dosis de exposición y suelen funcionar a menor rendimiento que las herramientas estándar. Los investigadores de IBM confirmaron recientemente que una sola exposición de alto-NA puede costar hasta 2,5 veces más que una toma de bajo-NA. Sin embargo, si se compara un flujo de cuatro máscaras de ARN bajo con una sola pasada de ARN alto, el coste total de la oblea puede reducirse entre 1,7 y 2,1 veces. A pesar de este ahorro en escenarios complejos de multipatrones, los analistas de SemiAnalysis siguen pensando que la paridad total de costes no llegará hasta 2030. Hasta el momento, Intel es la única gran fundición que ha apostado por la tecnología High-NA para la producción de grandes volúmenes. Ya ha procesado más de 30.000 obleas de prueba en su nodo 14A utilizando la herramienta Twinscan EXE:5000 High-NA de ASML.

Fuente: Bits y chips