Weebit Nano y DB HiTek crean un módulo ReRAM Tape-out en proceso BCD de 130 nm
Masterbitz
31 jul 20243 Min. de lectura
Weebit Nano Limited, empresa líder en el desarrollo y concesión de licencias de tecnologías avanzadas de memoria para la industria mundial de semiconductores, y la fundición de semiconductores de primer nivel DB HiTek han fabricado un chip de demostración que integra el módulo de memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM o RRAM) de Weebit en el proceso Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) de 130 nm de DB HiTek. Los chips de demostración altamente integrados se utilizarán para pruebas y cualificación previas a la producción para clientes, al tiempo que demostrarán el rendimiento y la solidez de la tecnología de Weebit.
Este importante hito en la colaboración entre Weebit y DB HiTek (anunciado previamente el 19 de octubre de 2023) se completó según lo previsto como parte del proceso de transferencia de tecnología. Las empresas están trabajando para poner Weebit ReRAM a disposición de los clientes de DB HiTek para que la integren en sus sistemas en chips (SoC) como memoria no volátil (NVM) integrada, y su objetivo es que la tecnología esté cualificada y lista para la producción en el segundo trimestre del año natural 2025. Weebit ReRAM ya está disponible para clientes selectos de DB HiTek para la creación de prototipos de diseño antes de la producción.
El proceso BCD de 130 nm de DB HiTek es ideal para diseños analógicos, de señal mixta y de alto voltaje en aplicaciones como dispositivos de consumo, industriales y de IoT. Para estas aplicaciones, Weebit ReRAM proporciona una NVM rentable y de bajo consumo que es fácil de integrar y ha demostrado una excelente retención a altas temperaturas. ReRAM ofrece ventajas significativas sobre flash para procesos BCD porque es una tecnología de back-end-of-line (BEOL) que no requiere un ajuste significativo del proceso. Weebit ReRAM también proporciona mayor densidad y resistencia en comparación con las tecnologías Multi-Time Programmable (MTP) convencionales.
Coby Hanoch, Consejero Delegado de Weebit Nano, ha declarado: «Este hito confirma que estamos avanzando hacia la cualificación de nuestra ReRAM en el proceso BCD de DB HiTek según lo previsto, poniendo la tecnología a disposición de la amplia base de clientes de esta fundición líder. Ya hemos entablado conversaciones con varios clientes de DB HiTek interesados en integrar la ReRAM en sus SoC. Un área de interés son los circuitos integrados de gestión inteligente de la energía (PMIC), en los que la integración del PMIC con el microcontrolador (MCU) en una sola matriz puede reportar ventajas de rendimiento, seguridad, consumo y coste.»
Ki-Seog Cho, Consejero Delegado de DB HiTek, ha declarado: «Muchos de nuestros clientes, especialmente los que tienen diseños de gestión de potencia y alto voltaje, quieren beneficiarse de las ventajas de la ReRAM integrada. Weebit ReRAM proporcionará a los clientes que utilicen nuestro proceso BCD de 130 nm una NVM de bajo consumo, rentable y de alta densidad. Y al pasar de una solución de dos chips a una de un solo chip, podrán ahorrar costes y energía, y reducir la complejidad y el tamaño. Tenemos una gran relación de trabajo con Weebit, y estamos entusiasmados por continuar esta colaboración tan prometedora.»
Una vez cualificado, DB HiTek añadirá el módulo de memoria de Weebit a su kit de diseño de procesos (PDK) BCD 130 nm. Los clientes de DB HiTek pueden utilizar los módulos estándar del PDK o personalizarlos según sus necesidades.
El chip de demostración incluye un módulo ReRAM de 1 Mb que puede ampliarse a otras densidades según sea necesario. Este módulo totalmente integrado también incluye toda la lógica de control necesaria, algoritmos inteligentes, descodificadores, E/S (elementos de comunicación de entrada/salida) y código de corrección de errores (ECC). Está diseñado con circuitos analógicos y digitales exclusivos, pendientes de patente, que ejecutan algoritmos inteligentes que mejoran significativamente los parámetros técnicos de la matriz de memoria. Este módulo ReRAM se integra además en el chip de demostración, que comprende un subsistema completo para aplicaciones embebidas, incluido el módulo Weebit ReRAM, una MCU RISC-V, SRAM, periféricos e interfaces de sistema como SPI, UART, JTAG y GPIO.
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