CXMT inicia la producción de prueba de la memoria HBM3E

Según los informes, el gigante de la memoria china CXMT ha comenzado la producción de riesgo de memoria HBM3E, según The Information. Esto indica que los fabricantes de memoria chinos están actualmente a dos generaciones de las empresas surcoreanas, que están pasando gradualmente a la producción de memoria HBM4E. Sin embargo, este es un hito significativo para CXMT, que está en camino de alcanzar una capacidad de fabricación de alrededor 350.000 obleas de DRAM Por mes al final del año, con planes de aumentar esa capacidad en los próximos años. Se informa que la fabricación de HBM3E ha comenzado en cantidades muy bajas, lo que significa el comienzo de la producción de riesgo.

Si bien no conocemos las especificaciones de la memoria HBM3E de CXMT, sabemos que la especificación estándar de JEDEC establece que esto debe ser un ancho de 1.024 bits y velocidades de entre 9.2 Gbps por pin y 12,4 Gbps, con la mayoría de las configuraciones estándar que apuntan a 9.6 Gbps por pin. El ancho de banda total es de alrededor de 1,2 TB/s, y las capacidades vienen en cualquier lugar desde 24 GB usando pilas de 8 hi o 36 GB usando pilas de 12 altas de capas de 24 Gb. Sin embargo, dado que CXMT progresa rápidamente De la producción de riesgo a la producción en masa, podríamos ver que la fabricación de gran volumen tiene lugar en solo unas pocas semanas.

Además, CXMT se destaca en el tiempo de construcción de la sala limpia, tardando solo 12 meses en construir la sala limpia de su fábrica en comparación con los dos años que normalmente requieren otros. CXMT opera varias instalaciones, incluyendo dos fábricas de 12 pulgadas, una en Hefei y una en Beijing, cada una con una producción de alrededor de 100,000 obleas por mes. Esto resulta en una capacidad de producción actual de alrededor de 200.000 obleas por mes, con planes de triplicar ese número a una Impresionantes 600.000 obleas al mes Cuando las plantas de Shanghai y Hefei se completen y estén plenamente operativas en el futuro. No está claro cuánto de esa capacidad se dedicará a la memoria HBM, pero la memoria HBM requiere múltiples matrices DRAM para una sola pila, lo que significa que la DRAM regular puede no ser más accesible si la demanda de HBM continúa creciendo.

Fuente: La Información