El Exynos 2600 de Samsung compite cara a cara con el Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm en Vulkan en Geekbench.

Acabamos de recibir otra señal material sobre la potencia y la eficacia general del chip Exynos 2600 de Samsung, que se espera que se lance dentro de la próxima serie Galaxy S26.

Exynos 2600 de Samsung coincide con el rendimiento del chip Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm en Vulkan en Geekbench

Como es evidente a partir de la publicación X anterior, el chip Exynos 2600 de Samsung (Galaxy S26) ha logrado obtener una puntuación de 27.478 en Vulkan, que es solo una pizca de la puntuación de 27,875 que el chip Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm (Redmagic 11 Pro) ha asegurado. Prácticamente, los dos chips están en paridad relacionada con el rendimiento en Vulkan.

Mientras tanto, según una agregación reciente de las puntuaciones de Geekbench 6 OpenCL, la GPU Xclipse 960 de Exynos 2600 mostró una variación de solo 3.4 por ciento entre sus puntuaciones más bajas y más altas, mostrando un nivel general notable de consistencia que Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm no ha podido igualar hasta ahora.

Esto se produce cuando un Galaxy S25 + equipado con el chip Exynos 2600 recientemente superó la puntuación Geekbench 6 OpenCL del Galaxy Book4 Edge, que está equipado con el Snapdragon X Elite, un conjunto de chips que normalmente asumiría ser significativamente poderoso.

Para el beneficio de aquellos que podrían no ser conscientes, el Exynos 2600 es el primer chip de Samsung que aprovecha su proceso de 2nm Gate-All-Around (GAA), que es una arquitectura de transistor 3D donde la Puerta rodea completamente el canal, que consiste en nanoláminas apiladas verticalmente, en los cuatro lados, lo que resulta en un control electrostático mejorado y un umbral de voltaje más bajo.

El conjunto de chips también está equipado con la GPU Xclipse 960, que es la primera en aprovechar una versión personalizada de la arquitectura RDNA 4 de AMD.

Como explicamos en un post dedicado, el Exynos 2600 es el primer chipset de Samsung que no solo adopta Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) sino que también incorpora su tecnología Heat Pass Block (HPB), que es un disipador de calor a base de cobre que está en contacto directo con el troquel, permitiendo una mejora de la resistencia térmica del 16 por ciento.

Fuente: Wccftech