El HBC Gen 1 de Qualcomm alcanza un ancho de banda de 133 TB/s mediante el apilamiento de memorias LPDDR

Ayer, Qualcomm anunció su producto High Bandwidth Compute (HBC), una solución de memoria y computación híbrida diseñada para reemplazar la memoria tradicional de alto ancho de banda (HBM) y ofrecer un mayor rendimiento, eficiencia y rendimiento. HBC utiliza la memoria LPDDR, apilándolos a través de múltiples capas en un espacio vertical 3D e interconectándolos con vías de silicio (TSV). Este enfoque proporciona una mejor eficiencia energética que el HBM tradicional, que apila DDR regular en capas verticales, ya que los chips DDR de baja potencia (LPDDR) consumen menos energía al tiempo que ofrecen un ancho de banda y capacidad similares. Qualcomm ha apilado con éxito múltiples capas de LPDDR una encima de la otra, siendo la base del HBC una matriz de cálculo que realiza el cálculo de memoria cercana y descarga algún procesamiento desde el procesador principal.

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Esta técnica es similar a lo que hace actualmente la memoria HBM4, siendo la matriz base una matriz lógica para integrar mejor las soluciones de cálculo debajo para el seguimiento de paquetes y la preparación de datos para entrar y salir de HBM. Sin embargo, Qualcomm tiene como objetivo lograr una mayor eficiencia y un movimiento de datos más optimizado, con un aumento de 6x en el ancho de banda por vatio en comparación con la especificación HBM actual, probablemente HBM4. HBC Gen 1 logró 133 TB/s de ancho de banda en la tarjeta aceleradora AI250, un aumento de 18x sobre la LPDDR5X actualmente utilizada en la tarjeta AI200 de Qualcomm. La compañía también afirma que hay una hoja de ruta viable para usar HBC en muchos aceleradores de IA de Qualcomm, con el envío de HBC Gen 1 con el acelerador de IA AI250 a mediados de 2027. Se espera que la próxima generación de HBC Gen 2 produzca más ganancias significativas en el ancho de banda.

Actualmente, no está claro dónde planea Qualcomm obtener la memoria LPDDR, qué versión de memoria LPDDR se utiliza en HBC, y dónde la compañía planea empaquetar esto. Qualcomm es conocido por fabricar sus SoC Snapdragon en TSMC, pero la matriz de computación podría ser fabricada por cualquier fabricante de memoria que se asocie para el lanzamiento de HBC. La opción más lógica es Samsung Foundry, que fabrica tanto LPDDR internamente como ofrece una fabricación lógica personalizada. Sin embargo, esto aún no ha sido confirmado por Qualcomm.

Fuente: Qualcomm