Kioxia y SanDisk presentan una nueva memoria flash 3D QLC de alto rendimiento.

Kioxia Corporation, una subsidiaria de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) y Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK), presentó hoy su nueva tecnología de memoria flash 3D QLC de 2 Tb de alta generación y alto rendimiento diseñada para soportar las crecientes demandas de almacenamiento de la infraestructura impulsada por IA. La tecnología demuestra cómo la innovación arquitectónica puede ayudar a que el almacenamiento avance al ritmo rápido requerido por las cargas de trabajo impulsadas por la IA, al tiempo que apoya una fabricación más eficiente en capital.

Aprovechando la arquitectura CMOS directamente Bonded to Array (CBA) de la compañía, la nueva tecnología combina una oblea CMOS avanzada con una plataforma probada de matriz de memoria, junto con un diseño significativo y la innovación de dispositivos, para ofrecer mejoras de rendimiento y permitir una implementación más rápida de soluciones de almacenamiento avanzadas para aplicaciones intensivas en nube y datos. En comparación con el anterior QLC de 2 Tb de octava generación, la nueva tecnología ofrece un mayor ancho de banda de escritura y lectura debido a una arquitectura de 6 planos y mejoras de rendimiento, y una mejor eficiencia de energía de escritura y lectura. Y también ofrece una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, una mejora del 33% con respecto a los dispositivos de octava generación.

El director de tecnología de Kioxia, Hideshi Miyajima, dijo: "A medida que la IA continúa respaldando el avance de la sociedad, sus aplicaciones se están expandiendo desde la IA generativa hasta la IA física y basada en agentes, mientras que el uso de datos se está volviendo cada vez más diverso y sofisticado. Al aprovechar su probada tecnología de celdas de memoria junto con la última tecnología CMOS, Kioxia está acelerando el desarrollo de su memoria flash de 9a generación. Este enfoque nos permite ofrecer un alto rendimiento y mantener los costos de inversión relativamente bajos".

"La rápida adopción de la IA está acelerando la transición de las interfaces de almacenamiento, creando una demanda de tecnologías de memoria que pueden evolucionar más rápidamente que en ciclos tecnológicos anteriores", dijo Alper Ilkbahar, Director de Tecnología de Sandisk. "Nuestra tecnología QLC de 9a generación demuestra la flexibilidad única de CBA, para acelerar la innovación mediante el avance independiente de las tecnologías de memoria y CMOS. Estamos trayendo nuevas capacidades al mercado más rápidamente con una eficiencia de capital excepcional".

La introducción de la tecnología de memoria flash 3D QLC de 9a generación marca un hito importante en la evolución de la hoja de ruta de la memoria flash 3D y destaca la fortaleza continua de la colaboración entre Kioxia y Sandisk. Al maximizar la flexibilidad de su plataforma CBA, las empresas están creando nuevas oportunidades para la innovación de NAND y ayudando a los clientes a abordar las crecientes demandas de almacenamiento de la era de la inteligencia artificial.

Fuente: Kioxia