Samsung envía muestras de HBM4 a sus clientes, producción en masa en 2026

Samsung acaba de informar de su Resultados del tercer trimestre de 2025, y la compañía ha confirmado que sus muestras de memoria HBM4 de próxima generación se han enviado a clientes de todo el mundo, con una producción en masa prevista para 2026. "HBM3E se encuentra actualmente en producción en masa y se vende a todos los clientes relacionados, mientras que las muestras de HBM4 se envían simultáneamente a clientes clave", señala Samsung, confirmando que su negocio de memoria es próspero y las soluciones de memoria avanzadas tienen una gran demanda. Además, la compañía ha confirmado que "en 2026, el negocio de fundición se centrará en proporcionar un suministro estable de nuevos productos GAA de 2 nm y el dado base HBM4, y comenzar las operaciones en la fábrica de la compañía en Taylor, Texas de manera oportuna".

En una pila HBM, que consiste en matrices de DRAM apiladas de hasta 12 altos, conectadas con TSV, existe la posibilidad de incrustar un Matín base opcional Con circuitos lógicos/aceleradores personalizados adaptados a una necesidad específica. Las empresas generalmente optan por la memoria HBM comercial para el modelo de precios estandarizado implementado en proveedores como Samsung, Micron y SK Hynix. Sin embargo, al ordenar cantidades tan grandes, como NVIDIA y AMD, pueden solicitar características de alojamiento especiales. Si bien esto puede no ser necesariamente un troquel de cómputo que trae TeraFLOPS de potencia, es probable que sea un troquel de procesamiento de datos/lógica que ayude a enrutar los paquetes de datos de manera más eficiente, reduciendo la latencia y mejorando el rendimiento. Especialmente durante la inferencia, donde la latencia es el factor más importante, tener un HBM "más inteligente" podría producir ganancias considerables de dos dígitos en el rendimiento de los tokens.

 

Si bien no sabemos hasta qué punto Samsung está dispuesto a impulsar su memoria HBM4, la especificación JEDEC base no parece satisfacer las necesidades de NVIDIA. Por ejemplo, Micron está evitando la especificación JEDEC Para HBM4, que se encuentra en 2 TB/s de ancho de banda y 8 Gb/s de transferencia de pin a través de una interfaz de 2048 bits. Micron está aumentando esto a 11 Gb/s, lo que resulta en un ancho de banda un 40% más alto a 2,8 TB/s. Por lo tanto, podemos esperar que Samsung siga siendo competitivo y empuje su memoria mucho más allá de la especificación JEDEC para satisfacer las demandas de NVIDIA y AMD para un mayor ancho de banda.