SK hynix presenta la memoria LPDDR6 1c con una capacidad de 16 Gb

SK hynix ha desarrollado con éxito nuevos módulos de memoria LPDDR6 con una capacidad de 16 Gb en el nodo de 10 nm de sexta generación, conocido como 1c. El gigante surcoreano ha confirmado que la producción en masa de esta memoria está prevista para la primera mitad del año, con el producto llegando a los clientes en la segunda mitad. Además, SK hynix afirma que la velocidad de estos módulos LPDDR6 supera los 10.7 Gbps, lo que sugiere que la compañía también está preparando algunas versiones overclocked, superando las especificaciones de velocidad inicial de esta generación LPDDR6 de JEDEC. Si el anterior programa de la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) de 2026 en San Francisco era una indicación, el hínix de SK es Preparación de módulos Que se ejecutará a velocidades de hasta 14,4 Gbps, ofreciendo un aumento significativo en el rendimiento de la memoria LPDDR5X de la generación anterior. La compañía reclama una mejora del 33% sobre LPDDR5X, que alcanzó los 10,7 Gbps, alineándose con la cifra de 14,4 Gbps para LPDDR6.

SK hynix también espera optimizaciones significativas de eficiencia energética superiores al 20% gracias a las nuevas tecnologías que permiten que LPDDR6 funcione. Esta generación de memoria DDR de baja potencia utiliza una estructura de subcanal que permite que los canales de memoria funcionen selectivamente y solo procesen las rutas de datos necesarias, lo que significa que no todos los canales deben acoplarse cuando sea innecesario. Además, LPDDR6 incorpora Dynamic Voltage and Frequency Scaling (DVFS), que optimiza el consumo de energía y el rendimiento ajustando dinámicamente la curva de tensión/frecuencia dependiendo del escenario. SK hynix señala que durante aplicaciones como los juegos, DVFS escalará la frecuencia para lograr el máximo ancho de banda, mientras que las aplicaciones estándar verán frecuencias más bajas para equilibrar el consumo de energía.

Fuente: Hínix SK