Samsung lanza al mercado el primer HBM4 comercial del sector con el máximo rendimiento para la computación con IA.

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado la producción en masa de su HBM4 líder en la industria y ha enviado productos comerciales a los clientes. Este logro marca la primera vez en la industria, asegurando una posición de liderazgo temprano en el mercado HBM4. Al aprovechar de manera proactiva su proceso DRAM de clase de 10 nanómetros (nm) de 6a generación (1c) más avanzado, la compañía logró rendimientos estables y un rendimiento líder en la industria desde el principio de la producción en masa, todo logrado sin problemas y sin ningún rediseño adicional.

"En lugar de tomar el camino convencional de utilizar diseños probados existentes, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados como el proceso de DRAM 1c y lógica de 4 nm para HBM4", dijo Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y jefe de desarrollo de memoria de Samsung Electronics. "Al aprovechar la competitividad de nuestros procesos y la optimización del diseño, podemos asegurar un rendimiento sustancial, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes para un mayor rendimiento, cuando los necesitan".

Establecer la barra para obtener el máximo rendimiento y eficiencia

El HBM4 de Samsung ofrece una velocidad de procesamiento consistente de 11,7 gigabits por segundo (Gbps), que supera el estándar de la industria de 8 Gbps en aproximadamente un 46% y establece un nuevo punto de referencia para el rendimiento de HBM4. Esto representa un aumento de 1.22x con respecto a la velocidad máxima de pin de 9.6 Gbps de su predecesor, HBM3E. El rendimiento de HBM4 también se puede mejorar aún más hasta 13 Gbps, lo que mitiga eficazmente los cuellos de botella de datos que se intensifican a medida que los modelos de IA continúan escalando.

Además, el ancho de banda de memoria total por pila única se aumenta en 2,7x en comparación con HBM3E, hasta un máximo de 3,3 terabytes por segundo (TB/s).

A través de la tecnología de apilamiento de 12 capas, Samsung ofrece HBM4 en capacidades que van desde 24 gigabytes (GB) a 36 GB. La compañía también mantendrá sus opciones de capacidad alineadas con las futuras líneas de tiempo de los clientes mediante la utilización de apilamiento de 16 capas, que ampliará las ofertas a hasta 48 GB.

Con el fin de abordar el consumo de energía y los desafíos térmicos impulsados por la duplicación de las E/S de datos de 1.024 a 2.048 pines, Samsung ha integrado soluciones avanzadas de diseño de baja potencia en el troquel de núcleo. HBM4 también logra una mejora del 40% en la eficiencia energética al aprovechar la tecnología de bajo voltaje a través del silicio a través de la tecnología (TSV) y la optimización de la red de distribución de energía (PDN), al tiempo que mejora la resistencia térmica en un 10% y la disipación de calor en un 30%, en comparación con HBM3E.

Al ofrecer un rendimiento excepcional, eficiencia energética y alta confiabilidad a los entornos de centro de datos del mañana, el HBM4 de Samsung permite a los clientes lograr un rendimiento maximizado de la GPU y administrar de manera efectiva su costo total de propiedad (TCO).

Capacidades de producción completas pero ágiles

Samsung se compromete a avanzar en su hoja de ruta de HBM a través de sus recursos de fabricación integral, incluida una de las mayores capacidades de producción de DRAM e infraestructuras dedicadas en la industria, asegurando una cadena de suministro resistente para satisfacer el aumento proyectado en la demanda de HBM4.

Una cooptimización de tecnología de diseño (DTCO) estrechamente integrada entre la fundición de la compañía y los negocios de memoria le permite garantizar los más altos estándares de calidad y rendimiento. Además, una amplia experiencia interna en envases avanzados permite ciclos de producción simplificados y tiempos de entrega reducidos.

Samsung también planea ampliar el alcance de su asociación técnica con socios clave, basada en discusiones estrechas con fabricantes globales de GPU e hiperescaladores centrados en el desarrollo de ASIC de próxima generación.

Samsung anticipa que sus ventas de HBM se triplicarán en 2026 en comparación con 2025, y está expandiendo proactivamente su capacidad de producción de HBM4. Tras la exitosa introducción de HBM4 en el mercado, se espera que el muestreo de HBM4E comience en la segunda mitad de 2026, mientras que las muestras de HBM personalizadas comenzarán a llegar a los clientes en 2027, de acuerdo con sus respectivas especificaciones.

Fuente: Samsung