Se rumorea que Qualcomm aplicará la tecnología Heat Pass Block de Samsung al Snapdragon 8 Elite Gen 6 este año, ya que las cámaras de vapor están alcanzando sus límites térmicos.

El bloque de paso de calor (HPB) de Samsung se aplica actualmente al Exynos 2600 y es una excelente implementación para ayudar a reducir las temperaturas y mejorar la resistencia térmica en un 16 por ciento. Con informes que hacen las rondas de que otros fabricantes de chipsets también adoptarán esta tecnología a sus SoC, el último rumor ahora afirma que Qualcomm lo implementará en su Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro y Snapdragon 8 Elite Gen 6 a finales de este año.

Observando las altas velocidades de reloj alcanzadas por el Snapdragon 8 Elite Gen 5, ya se están alcanzando las limitaciones térmicas de los enfriadores pasivos como las cámaras de vapor, que requieren soluciones más avanzadas para domar el aumento de las temperaturas. Claro, el proceso de 2nm de TSMC debería ayudar, pero la litografía mejorada solo puede hacer mucho cuando las empresas se dirigen a velocidades de reloj agresivas para tener una ventaja sobre la competencia.

Se rumoreaba que Qualcomm ya estaba probando su Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro a velocidades de reloj de 5.00GHz, lo que insinúa que el HPB podría estar en la fase de prueba en este momento

Para poner a los lectores al día, un HPB es básicamente un disipador de calor a base de cobre que se coloca directamente sobre la matriz de silicio, con el chip DRAM colocado junto a él. En los diseños de chipset más antiguos, la DRAM se colocó directamente en la parte superior del SoC, creando una trampa de calor y dando al chipset poco espacio para respirar, obligando a las cámaras de vapor externas y láminas de grafito a hacer el levantamiento pesado. Dado que el cobre es un excelente conductor de calor, las temperaturas del chipset probablemente se reducirán.

En Weibo, las cámaras digitales de enfoque fijo han regresado con una publicación, afirmando que el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro y el Snapdragon 8 Elite Gen 6 contarán con el HPB. Anteriormente, el mismo informante declaró que Qualcomm estaba probando su chipset de 2nm de gama alta para lograr una velocidad de reloj mínima de 5.00GHz en los núcleos de rendimiento. En un entorno controlado, sin energía ni restricciones térmicas, el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro probablemente alcanzaría esas frecuencias sin una solución de refrigeración completa.

Sin embargo, transfiera este silicio a un espacio compacto como los internos de un teléfono inteligente y sea testigo del comportamiento completamente opuesto, que es donde entra en juego la tecnología Heat Pass Block. En este punto, se ha convertido en obligatorio para Qualcomm incorporar alguna forma de enfriamiento avanzado, y creemos que se debería haber aplicado una solución similar al Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Después de todo, este último logra vencer al A19 Pro, pero en Geekbench 6, el SoC insignia de Qualcomm necesita consumir un 61 por ciento más de energía para lograr esta hazaña. Podemos decir con confianza que la firma de San Diego intentará el mismo escalado de potencia agresiva para el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro y Snapdragon 8 Elite Gen 6, haciendo que la inclusión de la HPB sea aún más necesaria.

Fuente de noticias: Fixed-focus digital cameras