Según se informa, Snapdragon X2 Elite Extreme utiliza el proceso N3X de 3 nm de TSMC para alcanzar sus velocidades de reloj máximas y obtener el mejor rendimiento posible, con algunas compensaciones.
- Masterbitz

- hace 4 días
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Los Snapdragon X2 Elite Extreme y Snapdragon X2 Elite se anunciaron como los primeros chipsets de 3 nm de Qualcomm diseñados para portátiles para ofrecer un rendimiento sin igual de portátiles, con el SoC de 18 núcleos de gama alta de la compañía alcanzando hasta 5.00GHz en uno o dos núcleos. Lo interesante del anuncio oficial fue que San Diego no divulgó si sus chipsets se aprovecharon del N3E de 3nm de TSMC o el nodo N3P de 3nm más nuevo.

Sin embargo, una nueva sorpresa en forma de informe es que el Snapdragon X2 Elite Extreme se fabrica utilizando el proceso N3X de 3nm. Esta litografía se ha desarrollado con un rendimiento excepcional en mente, pero eso puede resultar en algunos compromisos que hemos discutido a continuación.
Qualcomm priorizó el mejor rendimiento posible para el Snapdragon X2 Elite Extreme, pero eso no necesariamente se traduce en la mejor eficiencia, por lo que el N3X de 3nm de TSMC no es conocido
Una inmersión profunda de Moor Insights & Strategy revela algunas especificaciones interesantes que rodean el Snapdragon X2 Elite Extreme. Anteriormente, informamos que el último y más grande SoC de Qualcomm emplea el SiP, o System-in-Package, que integra múltiples circuitos y componentes como RAM, almacenamiento y otras piezas para formar un solo paquete.
Es similar a la arquitectura de RAM unificada de Apple, con los chips de memoria cerca de la CPU que aseguran un mayor ancho de banda de memoria, por lo que la variante más poderosa del Snapdragon X2 Elite Extreme puede alcanzar los 228GB/s, lo que la hace más alta que la M5, pero inferior al ancho de banda de memoria de 273GB/s del M4 Pro.
En cuanto al proceso de fabricación, el informe afirma que el Snapdragon X2 Elite Extreme utiliza el nodo N3X de 3nm, por lo que es la primera vez que un conjunto de chips comercial se ha alejado de la litografía N3P de 3nm de TSMC. El conjunto de chips también cuenta con 31 mil millones de transistores, con el proceso de fabricación de computación de alto rendimiento que ofrece una elevación de rendimiento del 5 por ciento en comparación con N3P de 3 nm.
“Teniendo en cuenta la plataforma a un alto nivel, el chip X2 Elite Extreme de Qualcomm representa el máximo esfuerzo de la compañía para ofrecer el mejor rendimiento para esta generación. Por ejemplo, un bus de memoria de 192 bits, 128 GB de memoria y una memoria RAM de 9523 MT/s entrega hasta 228 GB/s de ancho de banda de memoria, lo que garantiza que la memoria no sea un cuello de botella. Además, el chip se basa en el nodo de proceso N3X de TSMC, por un total de más de 31 mil millones de transistores”.










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