SK hynix obtiene la certificación de Intel Data Center para su módulo RDIMM DDR5 para servidores de 256 GB basado en chips de 32 Gb.

SK hynix Inc. anunció hoy que se ha convertido en el primero en la industria en completar el proceso Intel Data Center Certified para aplicar 256 GB de DDR5 RDIMM, un módulo de servidor de alta capacidad basado en 32 Gb de quinta generación de 10 nm de clase (1b) DRAM, a la plataforma Intel Xeon 6. Como sistema / plataforma certificado por Intel Data Center, 256 GB DDR5 RDIMM ha completado extensas pruebas y validación rigurosa por el Laboratorio de Desarrollo de Centros de Datos Avanzados de Intel, y ahora es el primer módulo de servidor de la industria verificado para proporcionar un rendimiento confiable, compatibilidad y calidad cuando se combina con los procesadores Intel Xeon. SK hynix ha obtenido previamente una validación similar en enero de este año para su producto de 16 Gb de la cuarta generación de clase 1 (1a) a base de matriz de 256 GB.

Al convertirse en el primero en la industria en validar la compatibilidad con la última plataforma de servidores de Intel, SK hynix está demostrando liderazgo tecnológico en módulos DDR5 de alta capacidad. En base a esto, la compañía ampliará la cooperación con los principales operadores de centros de datos globales y continuará liderando el mercado de memoria de próxima generación en respuesta a la creciente demanda de los clientes de servidores. En este nuevo entorno de infraestructura impulsado por la inteligencia artificial, la memoria se ha convertido en un determinante crítico del rendimiento. A medida que los modelos de inferencia de IA evolucionan más allá de generar una respuesta simple a la realización de procesos lógicos complejos, el volumen de datos que deben procesarse en tiempo real está creciendo exponencialmente. Para gestionar estos conjuntos de datos masivos, se ha vuelto indispensable una memoria de alta capacidad y alto rendimiento de manera rápida y confiable, lo que ha provocado un fuerte aumento en la demanda del mercado.

  

La compañía anticipa que su último producto es la solución ideal para satisfacer esta creciente demanda. Los servidores equipados con el nuevo módulo ofrecen un rendimiento de inferencia hasta un 16% más alto en comparación con los que utilizan productos de 128 GB basados en troqueles de 32 Gb. Además, al utilizar chips DRAM de 32 Gb, el diseño alcanza un consumo de energía hasta aproximadamente un 18% menor que los productos anteriores de 256 GB basados en DRAM de 16 Gb 1a. Con esta eficiencia energética mejorada y un rendimiento excepcional por vatio, la compañía espera un gran interés de los clientes del centro de datos.

"Ahora podemos responder más rápidamente a las necesidades de los clientes, consolidando nuestro liderazgo en el mercado de DRAM DDR5 de servidores. Como creador de memoria de IA de pila completa, abordaremos activamente la creciente demanda de soluciones de memoria de alto rendimiento, baja potencia y alta capacidad para mejorar aún más la satisfacción del cliente", dijo Sangkwon Lee, jefe de planificación y habilitación de productos de DRAM en SK hynix.

"Este logro representa la culminación de los esfuerzos de ingeniería colaborativa en Intel y SK hynix y demuestra nuestro compromiso compartido con el avance de la tecnología de memoria. El módulo de alta capacidad aborda los requisitos cada vez más exigentes de cargas de trabajo hambrientas de capacidad de las aplicaciones de IA, lo que permite a nuestros clientes desbloquear nuevos niveles de rendimiento y eficiencia en las operaciones de su centro de datos", dijo el Dr. Dimitrios Ziakas, vicepresidente de arquitectura de plataformas de Intel Data Center Group.

Fuente: Hínix SK