El Instituto Coreano de Ingenieros de Semiconductores predice que el desarrollo de chips de 0,2 nm y la estructuración 3D monolítica podrían producirse en 15 años.

En su ‘Semiconductor Technology Roadmap 2026’, el Instituto de Ingenieros de Semiconductores anunció el pronóstico del desarrollo del silicio para los próximos 15 años. Donde Samsung anunció recientemente el primer chipset GAA de 2nm del mundo, el Exynos 2600, para 2040, se predice que los circuitos semiconductores alcanzarán los 0.2nm, ingresando a la era de angstrom (A). Sin embargo, se requiere un progreso significativo entre ahora y más de una década y media a partir de ahora, con numerosos baches y obstáculos que se interponen en el camino de lograr obleas sub-1nm.

Las predicciones adicionales para los avances de semiconductores incluyen capas de flash NAND que aumentan a 2.000 capas de 321, junto con semiconductores de IA que realizan decenas de billones de operaciones por segundo

Un informe de ETNews afirma que el propósito de la hoja de ruta es “contribuir a fortalecer la tecnología de semiconductores a largo plazo y la competitividad de la industria, activar la investigación académica y establecer estrategias de desarrollo de recursos humanos”. La hoja de ruta presentada por el Instituto de Ingenieros de Semiconductores es para nueve tecnologías básicas: dispositivos y procesos semiconductores, semiconductores de inteligencia artificial, semiconductores de conexión óptica, sensores de semiconductores de conexión inalámbrica, semiconductores de conexión por cable, PI M, empaquetado y computación cuántica.

La corriente de litografía más baja pertenece a la tecnología de 2nm Gate-All-Around (GAA) de Samsung, pero el gigante coreano ha planeado mejores variantes de este proceso de fabricación. Por ejemplo, ha completado el diseño básico de su nodo GAA de 2nm de segunda generación y se informa que implementa su SF2P +, que es la tecnología GAA de 2nm de tercera generación, dentro de dos años. Para 2040, se estima que el proceso de 0,2 nm empleará una estructura de transistor de generación, CFET (Transistor de Efecto de Campo Complementario) y un diseño 3D monolítico.

También se dice que Samsung, que actualmente es el líder en Corea para la fabricación de semiconductores de próxima generación, formó un equipo para comenzar la investigación sobre el desarrollo de chips de 1 nm, con un objetivo de producción en masa establecido para 2029. Se dice que estas mejoras no solo se aplican a los SoC móviles, sino también a la DRAM, cuyo circuito de memoria se reducirá de 11 nm a 6 nm, y la memoria de alto ancho de banda avanzará de 12 capas y 2 TB/s de ancho de banda a 30 capas y 128 TB/s de ancho de banda.

En cuanto a NAND, donde SK hynix ha desarrollado la tecnología QLC de 321 capas, los avances de semiconductores permitirán 2.000 capas de QLC NAND. Por último, tenemos procesadores de IA que pueden alcanzar 10 TOPS (trillones de operaciones por segundo), pero en una década y media, el informe afirma que podríamos tener chips que pueden generar 1.000 TOPS por segundo para el aprendizaje y 100 TOPS por inferencia.

Fuente de noticias: ETNews