La tecnología «Offset PoP» del Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 se basa en un método de encapsulado anterior, pero las pruebas demuestran que la temperatura tarda más del doble de tiempo en alcanzar e

Los fabricantes de chipsets finalmente han abandonado la tecnología PoP (Package-on-Package) más antigua presente en los chipsets más antiguos, con Qualcomm también haciendo el cambio al presentar Offset PoP para su último y mejor Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. A pesar de que se basa en el embalaje más antiguo, los últimos resultados de las pruebas muestran que el SoC tarda mucho más en alcanzar su temperatura máxima de funcionamiento, lo que resulta en un rendimiento sostenido significativamente mejorado.

Las pruebas recientes muestran que el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 tarda más de 15 minutos en alcanzar su umbral de temperatura máxima, gracias a Offset PoP

Basado en la ilustración del YouTuber Geekerwan, el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 que se ejecuta en el diseño de referencia tiene DRAM en la parte superior de la matriz de silicio, pero se mueve hacia un lado, con un disipador de calor colocado junto a la memoria. El disipador de calor es similar a la tecnología Heat Pass Block que Samsung ha adoptado para su Exynos 2600, lo que resulta en una transferencia de calor más rápida y un rendimiento sostenido mejorado.

Claro, el “N2P” de 2 nm de TSMC permite que el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 alcance la barrera de velocidad de reloj de 5.00GHz gracias a las mejoras de eficiencia de la litografía, pero también es una cuestión de mantener estas frecuencias durante períodos más largos cuando se ejecutan cargas de trabajo agotadoras durante un tiempo prolongado, como cuando se ejecutan juegos. En las pruebas internas realizadas por el YouTuber, encontró que la adopción de Offset PoP dio como resultado que el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 tardara 915 segundos (15 minutos y 15 segundos) en alcanzar el umbral de temperatura, que era de 105 ° C.

Por el contrario, un SoC con un PoP tradicional, que es el Snapdragon 8 Elite Gen 5, tardó 390 segundos (6 minutos y 30 segundos) en alcanzar la misma temperatura. En resumen, una actualización de la litografía y el empaque ha permitido al Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 mantener su rendimiento sostenido durante más del doble del tiempo, lo que es un problema importante abordado por Qualcomm.

Anteriormente, los chipsets de la compañía funcionarían excepcionalmente bien en puntos de referencia como Geekbench 6 o Geekbench 7, pero solo porque estas pruebas se realizaron durante un corto período de tiempo, lo que no ofrece la imagen completa. Ahora, es una historia completamente diferente, pero todavía hay algunas preguntas sin respuesta. Geekerwan no mencionó a qué pruebas se realizaron al medir el rendimiento sostenido, o a qué temperatura ambiente se expuso el prototipo de ingeniería.

Fuente de noticias: Geekerwan